可改寫的隻讀存儲器英文解釋翻譯、可改寫的隻讀存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 EAROM; electrically-alterable ROM; read mostly memory; RMM

approve; but; can; may; need; yet

redraft; adapt; overwrite; paraphrase; rewrite
【計】 overtype; overwrite
【經】 adapt

【計】 read-only storage; ROM
【化】 ROM

可改寫的隻讀存儲器 (kě gǎixiě de zhǐdú cúnchǔqì)，英文為Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)，是一種特殊的非易失性半導體存儲器。其核心特性體現在名稱的矛盾統一性上：

“隻讀” (Read-Only)：在正常工作狀态下（如系統運行時），存儲在其中的數據可以被處理器反複讀取，就像标準的隻讀存儲器（ROM）一樣。這意味着數據在斷電後不會丢失（非易失性）。
“可改寫” (Electrically Erasable and Programmable)：這是其區别于傳統掩模ROM或一次可編程PROM的關鍵。EEPROM允許通過施加特定的較高電壓（通常高于電路正常工作電壓）來擦除（将位單元重置為邏輯“1”狀态）和重新編程（寫入新的數據，将位單元設置為邏輯“0”或保持“1”）。這種擦寫操作是以電子方式完成的，無需物理移除芯片或使用紫外線照射（這是其前身EPROM的擦除方式）。

核心特點與技術意義：

非易失性 (Non-Volatile)：斷電後數據能長期保存（通常保證10年以上）。
電可擦寫性 (Electrical Erasability)：擦除和寫入操作通過施加特定電壓實現，無需特殊物理條件（如紫外線），使得數據可以在電路闆上直接更新，極大提高了使用的便利性和靈活性。
按字節/塊擦寫 (Byte/Block Alterability)：大多數EEPROM支持按字節（或較小的塊）進行擦寫，這意味着可以修改存儲陣列中的特定數據，而無需擦除和重寫整個芯片内容。這比需要整片擦除的閃存（Flash Memory）在某些應用場景下更靈活。
有限擦寫次數 (Limited Endurance)：每個存儲單元（位）的擦寫次數是有限的，通常在10萬次到100萬次範圍。超過此限制可能導緻單元失效。這限制了EEPROM在需要極高頻率擦寫場景的應用。
相對較慢的寫入速度 (Slower Write Speed)：寫入（編程）EEPROM的速度比讀取速度慢得多，也比寫入RAM或某些類型的閃存慢。
較高成本 (Higher Cost per Bit)：相比高密度閃存，EEPROM的單位存儲成本通常更高。

主要應用場景：

權威參考來源：

《數字電子技術基礎》（閻石主編）等經典電子工程教材詳細闡述了各類半導體存儲器的原理，包括EEPROM的結構、工作原理和特性。這些教材是理解基礎概念的重要來源。
JEDEC固态技術協會 (JEDEC Solid State Technology Association) 作為全球微電子産業領導标準機構，制定了包括EEPROM在内的存儲器接口、時序、可靠性和測試标準（如JESD21-C, JESD22-A117等）。其标準文檔是定義EEPROM電氣特性和可靠性的權威依據。
IEEE Xplore數字圖書館 (IEEE Xplore Digital Library) 收錄了大量關于EEPROM技術研究、設計優化、可靠性分析和應用案例的學術論文與會議文獻，代表了該領域的技術前沿。

可改寫的隻讀存儲器（Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱EPROM或EEPROM）是一種特殊的ROM類型，它在保留傳統ROM非易失性特點的同時，允許通過特定方式修改存儲内容。以下是詳細解釋：

非易失性：與普通ROM相同，斷電後數據不會丢失（）。
可改寫性：區别于傳統ROM的“隻讀”，這類存儲器可通過物理或電信號方式擦除并重新編程。例如：
- EPROM：需紫外線照射擦除；
- EEPROM：通過電信號擦寫；
- 閃存（Flash Memory）：支持塊擦除和快速寫入（）。

可改寫的隻讀存儲器通過特殊技術實現了有限的編程能力，兼具ROM的穩定性和靈活性，廣泛應用于需長期存儲但偶爾更新的場景。