可改写的只读存储器英文解释翻译、可改写的只读存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 EAROM; electrically-alterable ROM; read mostly memory; RMM

approve; but; can; may; need; yet

redraft; adapt; overwrite; paraphrase; rewrite
【计】 overtype; overwrite
【经】 adapt

【计】 read-only storage; ROM
【化】 ROM

可改写的只读存储器 (kě gǎixiě de zhǐdú cúnchǔqì)，英文为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)，是一种特殊的非易失性半导体存储器。其核心特性体现在名称的矛盾统一性上：

“只读” (Read-Only)：在正常工作状态下（如系统运行时），存储在其中的数据可以被处理器反复读取，就像标准的只读存储器（ROM）一样。这意味着数据在断电后不会丢失（非易失性）。
“可改写” (Electrically Erasable and Programmable)：这是其区别于传统掩模ROM或一次可编程PROM的关键。EEPROM允许通过施加特定的较高电压（通常高于电路正常工作电压）来擦除（将位单元重置为逻辑“1”状态）和重新编程（写入新的数据，将位单元设置为逻辑“0”或保持“1”）。这种擦写操作是以电子方式完成的，无需物理移除芯片或使用紫外线照射（这是其前身EPROM的擦除方式）。

核心特点与技术意义：

非易失性 (Non-Volatile)：断电后数据能长期保存（通常保证10年以上）。
电可擦写性 (Electrical Erasability)：擦除和写入操作通过施加特定电压实现，无需特殊物理条件（如紫外线），使得数据可以在电路板上直接更新，极大提高了使用的便利性和灵活性。
按字节/块擦写 (Byte/Block Alterability)：大多数EEPROM支持按字节（或较小的块）进行擦写，这意味着可以修改存储阵列中的特定数据，而无需擦除和重写整个芯片内容。这比需要整片擦除的闪存（Flash Memory）在某些应用场景下更灵活。
有限擦写次数 (Limited Endurance)：每个存储单元（位）的擦写次数是有限的，通常在10万次到100万次范围。超过此限制可能导致单元失效。这限制了EEPROM在需要极高频率擦写场景的应用。
相对较慢的写入速度 (Slower Write Speed)：写入（编程）EEPROM的速度比读取速度慢得多，也比写入RAM或某些类型的闪存慢。
较高成本 (Higher Cost per Bit)：相比高密度闪存，EEPROM的单位存储成本通常更高。

主要应用场景：

权威参考来源：

《数字电子技术基础》（阎石主编）等经典电子工程教材详细阐述了各类半导体存储器的原理，包括EEPROM的结构、工作原理和特性。这些教材是理解基础概念的重要来源。
JEDEC固态技术协会 (JEDEC Solid State Technology Association) 作为全球微电子产业领导标准机构，制定了包括EEPROM在内的存储器接口、时序、可靠性和测试标准（如JESD21-C, JESD22-A117等）。其标准文档是定义EEPROM电气特性和可靠性的权威依据。
IEEE Xplore数字图书馆 (IEEE Xplore Digital Library) 收录了大量关于EEPROM技术研究、设计优化、可靠性分析和应用案例的学术论文与会议文献，代表了该领域的技术前沿。

可改写的只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，简称EPROM或EEPROM）是一种特殊的ROM类型，它在保留传统ROM非易失性特点的同时，允许通过特定方式修改存储内容。以下是详细解释：

非易失性：与普通ROM相同，断电后数据不会丢失（）。
可改写性：区别于传统ROM的“只读”，这类存储器可通过物理或电信号方式擦除并重新编程。例如：
- EPROM：需紫外线照射擦除；
- EEPROM：通过电信号擦写；
- 闪存（Flash Memory）：支持块擦除和快速写入（）。

可改写的只读存储器通过特殊技术实现了有限的编程能力，兼具ROM的稳定性和灵活性，广泛应用于需长期存储但偶尔更新的场景。