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表面俘獲英文解釋翻譯、表面俘獲的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 surface trapping

分詞翻譯:

表面的英語翻譯:

surface; exterior; facade
【化】 surface
【醫】 superficies; surface

俘獲的英語翻譯:

capture; seize
【計】 trap; trapping
【化】 capture

專業解析

表面俘獲(Surface Trapping)是半導體物理學和微電子學中的一個重要概念,指電荷載流子(電子或空穴)在半導體材料表面或界面處被缺陷态(稱為表面态或界面态)捕獲并暫時或永久束縛的現象。這種現象主要發生在半導體與絕緣體(如二氧化矽)或不同半導體材料的界面處。

一、核心機制

  1. 表面态的存在

    半導體表面因晶格中斷會形成懸挂鍵或雜質吸附,産生局域能級(表面态)。這些能态位于禁帶中,可捕獲自由載流子。例如,矽-二氧化矽界面(Si/SiO₂)的缺陷态是MOS器件中表面俘獲的主因。

  2. 載流子動力學

    當載流子遷移至表面時,可能被表面态捕獲,導緻其無法參與導電。被捕獲的載流子需額外能量(如熱激發)才能逃逸,此過程表現為器件電學特性的滞後或漂移(如阈值電壓偏移)。

二、對器件性能的影響

三、控制與優化

通過表面鈍化技術(如氫退火、原子層沉積Al₂O₃)可飽和懸挂鍵,降低界面态密度。例如,矽太陽能電池采用SiNₓ:H鈍化層,将表面複合速度從10⁴ cm/s降至10 cm/s量級。

四、中英術語對照

中文 英文
表面俘獲 Surface Trapping
界面态 Interface States
載流子捕獲 Carrier Trapping
阈值電壓漂移 Threshold Voltage Shift
表面鈍化 Surface Passivation

術語注釋:在電子工程語境中,“俘獲”特指載流子受缺陷束縛的動态過程(trapping),區别于靜态的“捕獲”(capture)。相關機制可參考IEEE《半導體器件物理》标準教材(Chapter 6, Wiley 2022)及ECS會議論文集(Vol. 75, Issue 1)。


來源示例:

  1. [半導體界面态與器件可靠性] (IEEE Xplore, DOI: 10.1109/TED.2020.3040000)
  2. [MOSFET阈值電壓漂移機制] (ScienceDirect, Article S0038110122001138)
  3. [太陽能電池表面鈍化技術綜述] (RSC Advances, 2023, 13, 1225)

網絡擴展解釋

“表面俘獲”這一表述在常規詞典或通用語境中并未形成标準定義,但結合“俘獲”的常規含義和可能的專業領域延伸,可作以下解釋:

一、基礎詞義解析

  1. 俘獲(常規含義)

    • 軍事領域:指作戰中俘虜敵方人員、繳獲物資裝備等,如“俘獲敵軍500人”()。
    • 物理學領域:指原子核與中子、電子等基本粒子結合,釋放能量或引發核反應(、)。
  2. “表面”的潛在指向
    若“表面俘獲”為專業術語,可能涉及以下場景:

    • 材料科學:材料表面因缺陷或化學特性吸附或捕獲粒子(如電子、離子)。
    • 半導體物理:半導體表面态對載流子的捕獲現象,影響器件性能。

二、可能的專業延伸

三、使用建議

若您遇到該詞的具體文獻或上下文,建議結合領域背景進一步分析。常規語境下,“俘獲”多指軍事或物理行為,而“表面”可能修飾其發生位置或作用範圍。

如需更精準的解釋,請補充相關語境或領域信息。

分類

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