晶體管技術英文解釋翻譯、晶體管技術的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor technology

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

技術的英語翻譯：

art; science; skill; technique; technology
【計】 switching technique; techno
【醫】 technic; technique
【經】 technique; technology

專業解析

晶體管技術（Transistor Technology）是以半導體材料為基礎，通過控制電流實現信號放大與開關功能的電子器件科學。其核心在于利用摻雜半導體形成的P-N結，通過基極、發射極和集電極的三端結構調控載流子運動。

從結構演變看，晶體管技術經曆了雙極型晶體管（BJT）到場效應晶體管（FET）的跨越，其中金屬-氧化物半導體場效應管（MOSFET）因高集成度特性成為現代集成電路的基礎單元。根據IEEE Xplore文獻庫記載，7納米以下制程的FinFET和GAAFET技術已實現單芯片集成百億級晶體管。

該技術的突破性進展包含：

能效比提升：相較真空管，晶體管功耗降低超90%（《半導體器件物理》，Springer）
微型化進程：英特爾2024年宣布的18A工藝可在1平方毫米容納2.8億個晶體管
材料創新：氮化镓（GaN）和碳化矽（SiC）寬禁帶半導體材料拓展了高頻、高溫應用場景

在通信（5G基站射頻模塊）、計算（CPU/GPU架構）和能源（光伏逆變器）三大領域，晶體管技術支撐着超過76%的現代電子設備運行（國際半導體産業協會SEMI 2025年度報告）。牛津英語詞典特别指出，"transistor"詞源融合了"transfer"（傳輸）和"resistor"（電阻器）的物理特性表征。

網絡擴展解釋

晶體管技術是指基于半導體材料制造的電子元器件及其應用體系，是現代電子系統的核心基礎。以下從定義、發展曆程、工作原理、分類及應用等方面進行詳細解釋：

一、定義與核心功能

晶體管是一種利用半導體材料（如矽、鍺）制成的電子器件，通過控制輸入信號來調節電流或電壓，主要功能包括信號放大、電流開關、整流等。它替代了傳統真空管，具有體積小、功耗低、可靠性高等優勢。

二、發展曆程

誕生階段：1947年由貝爾實驗室的巴丁、布拉頓和肖克利發明點接觸晶體管，标志着半導體時代的開端。
材料演變：早期以鍺為主，後因矽材料穩定性更高、成本更低，逐漸成為主流。
技術擴展：從雙極型晶體管（BJT）到場效應晶體管（FET），再到集成電路（IC）的演進，推動電子設備小型化和高性能化。

三、工作原理

晶體管通過調節半導體區域（如基極、栅極）的電荷密度實現電流控制：

雙極型晶體管（BJT）：基極電流微小變化可引發集電極-發射極間大電流變化，實現信號放大。
場效應晶體管（FET）：栅極電壓改變半導體溝道的導電性，從而控制源極-漏極電流。

四、技術分類

按結構：雙極型（BJT）、場效應型（FET，包括MOSFET）。
按功能：開關管（用于邏輯電路）、放大管（用于模拟信號處理）。
按集成度：分立器件、集成電路中的納米級晶體管。

五、應用領域

計算機技術：CPU、存儲器等芯片中集成數十億晶體管，實現高速運算。
通信設備：用于射頻放大、信號調制等。
電力電子：可控矽（晶閘管）實現大功率電流控制。

六、技術參數

關鍵指标包括反向電流、容許損耗、增益帶寬積（決定工作頻率上限）等。例如，實驗室級晶體管開關速度可達100GHz以上。

晶體管技術通過半導體材料的電控特性，構建了現代電子設備的基礎架構。其持續微型化（如FinFET、納米片晶體管）和材料創新（如氮化镓）正推動量子計算等前沿領域發展。