晶體管集電極英文解釋翻譯、晶體管集電極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor collector

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

集電極的英語翻譯：

collector
【化】 collector

專業解析

晶體管集電極（Collector）是雙極結型晶體管（BJT）的三個關鍵電極之一（另外兩個為發射極和基極）。在NPN型晶體管中，集電極負責收集從發射極注入、經基極擴散過來的多數載流子（電子）；在PNP型晶體管中，則收集從發射極注入的空穴。其核心功能包括：

1. 載流子收集與電流輸出

   集電極-基極結通常處于反向偏置狀态，形成較強的收集電場。當基極-發射極結正向偏置時，發射極注入的載流子穿過基區後被集電極高效收集，形成集電極電流 (I_C)。該電流是晶體管放大作用的主要輸出，滿足關系式 (I_C = beta I_B)（(beta) 為電流放大系數）。

2. 功耗承受與散熱

   因承受較高的反向電壓和主電流通路，集電極是晶體管中功耗最大的區域。其設計需考慮散熱能力，通常與金屬外殼或散熱器直接連接以防止過熱損壞。

3. 輸出特性曲線關鍵參數

   在晶體管輸出特性曲線（(IC)-(V{CE})曲線）中，集電極電流 (IC) 隨集電極-發射極電壓 (V{CE}) 的變化反映了器件的工作狀态（飽和區、放大區、擊穿區），直接影響放大電路的線性度和效率。

4. 電路應用角色

   在共發射極放大電路中，集電極作為輸出端，外接負載電阻實現電壓增益；在開關電路中，集電極電位高低直接對應導通/截止狀态，決定邏輯電平輸出。

權威參考來源：

1. Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (電子學經典教材，載流子輸運模型)
2. IEEE Standard 255-1963 Letter Symbols for Semiconductor Devices (術語定義标準)
3. Horowitz, P. & Hill, W. The Art of Electronics (特性曲線與電路設計實踐)
4. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (BJT結構與工作機制詳解)

網絡擴展解釋

晶體管集電極是雙極型晶體管（BJT）的三個電極（發射極、基極、集電極）之一，其核心功能是收集載流子并形成輸出電流。以下是詳細解釋：

1.物理結構與作用

• 結構位置：位于晶體管的一端，與發射極、基極共同構成PN結結構。例如在NPN型晶體管中，集電極是N型半導體層，通過集電結（反向偏置的PN結）與基極相連。
• 主要功能：收集從發射極經基極擴散過來的多數載流子（如NPN型中的電子），形成集電極電流（Ic）。

2.電流形成機制

• 當基極-發射極正向偏置時，發射極向基極注入載流子，其中少部分在基極複合形成基極電流（Ib），大部分被集電極電場吸引，形成集電極電流（Ic）。
• 電流關系：Ic = β·Ib（β為電流放大系數，通常為幾十至幾百）。

3.與其他電極的區别

• 與發射極：發射極摻雜濃度高，負責發射載流子；集電極摻雜較低但面積較大，便于高效收集載流子。
• 與基極：基極極薄且輕摻雜，用于控制載流子通過量。

4.電路應用特性

• 放大作用：通過小基極電流控制大集電極電流，實現電流放大。
• 開關作用：在飽和區（導通）時集電極-發射極電壓極低，截止區時電流接近零，用于數字電路開關。

5.典型參數

• 最大集電極電流（Ic_max）：晶體管能承受的最大持續電流。
• 集電極-發射極擊穿電壓（Vceo）：反向偏置時允許的最大電壓。

若需進一步了解晶體管工作模式（如共射極、共基極配置）或具體型號參數，可提供補充信息以便深入分析。

分類

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