晶体管集电极英文解释翻译、晶体管集电极的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor collector

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

集电极的英语翻译：

collector
【化】 collector

专业解析

晶体管集电极（Collector）是双极结型晶体管（BJT）的三个关键电极之一（另外两个为发射极和基极）。在NPN型晶体管中，集电极负责收集从发射极注入、经基极扩散过来的多数载流子（电子）；在PNP型晶体管中，则收集从发射极注入的空穴。其核心功能包括：

1. 载流子收集与电流输出

   集电极-基极结通常处于反向偏置状态，形成较强的收集电场。当基极-发射极结正向偏置时，发射极注入的载流子穿过基区后被集电极高效收集，形成集电极电流 (I_C)。该电流是晶体管放大作用的主要输出，满足关系式 (I_C = beta I_B)（(beta) 为电流放大系数）。

2. 功耗承受与散热

   因承受较高的反向电压和主电流通路，集电极是晶体管中功耗最大的区域。其设计需考虑散热能力，通常与金属外壳或散热器直接连接以防止过热损坏。

3. 输出特性曲线关键参数

   在晶体管输出特性曲线（(IC)-(V{CE})曲线）中，集电极电流 (IC) 随集电极-发射极电压 (V{CE}) 的变化反映了器件的工作状态（饱和区、放大区、击穿区），直接影响放大电路的线性度和效率。

4. 电路应用角色

   在共发射极放大电路中，集电极作为输出端，外接负载电阻实现电压增益；在开关电路中，集电极电位高低直接对应导通/截止状态，决定逻辑电平输出。

权威参考来源：

1. Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices (电子学经典教材，载流子输运模型)
2. IEEE Standard 255-1963 Letter Symbols for Semiconductor Devices (术语定义标准)
3. Horowitz, P. & Hill, W. The Art of Electronics (特性曲线与电路设计实践)
4. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices (BJT结构与工作机制详解)

网络扩展解释

晶体管集电极是双极型晶体管（BJT）的三个电极（发射极、基极、集电极）之一，其核心功能是收集载流子并形成输出电流。以下是详细解释：

1.物理结构与作用

• 结构位置：位于晶体管的一端，与发射极、基极共同构成PN结结构。例如在NPN型晶体管中，集电极是N型半导体层，通过集电结（反向偏置的PN结）与基极相连。
• 主要功能：收集从发射极经基极扩散过来的多数载流子（如NPN型中的电子），形成集电极电流（Ic）。

2.电流形成机制

• 当基极-发射极正向偏置时，发射极向基极注入载流子，其中少部分在基极复合形成基极电流（Ib），大部分被集电极电场吸引，形成集电极电流（Ic）。
• 电流关系：Ic = β·Ib（β为电流放大系数，通常为几十至几百）。

3.与其他电极的区别

• 与发射极：发射极掺杂浓度高，负责发射载流子；集电极掺杂较低但面积较大，便于高效收集载流子。
• 与基极：基极极薄且轻掺杂，用于控制载流子通过量。

4.电路应用特性

• 放大作用：通过小基极电流控制大集电极电流，实现电流放大。
• 开关作用：在饱和区（导通）时集电极-发射极电压极低，截止区时电流接近零，用于数字电路开关。

5.典型参数

• 最大集电极电流（Ic_max）：晶体管能承受的最大持续电流。
• 集电极-发射极击穿电压（Vceo）：反向偏置时允许的最大电压。

若需进一步了解晶体管工作模式（如共射极、共基极配置）或具体型号参数，可提供补充信息以便深入分析。

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