跨導納英文解釋翻譯、跨導納的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transadmittance

分詞翻譯：

跨的英語翻譯：

bestrad; cut across; step; straddle; stride
【機】 amphi-

導納的英語翻譯：

【化】 admittance

專業解析

在電子工程領域，跨導納（Transconductance）是一個描述電子器件（如晶體管）輸入電壓對輸出電流控制能力的關鍵參數。其标準定義和核心要點如下：

一、定義與數學表達

跨導納（符號 $g_m$）定義為輸出電流變化量與輸入電壓變化量之比，即： $$ gm = frac{partial I{text{out}}}{partial V_{text{in}}} $$ 單位為西門子（S）。例如，BJT晶體管的跨導納可近似為： $$ g_m approx frac{I_C}{V_T} $$ 其中 $I_C$ 為集電極電流，$V_T$ 為熱電壓（約26mV@室溫）。

二、物理意義與應用

放大器增益核心
跨導納直接決定放大器的電壓增益（$A_v = -gm cdot R{text{load}}$），是設計運算放大器、射頻電路的核心參數。

器件靈敏度指标
$g_m$ 值越高，表明器件對輸入電壓的響應越靈敏，常用于評估場效應管（MOSFET）的開關速度。

三、與相關參數的對比

跨導納 vs. 跨阻：跨阻（Transresistance）定義為 $rm = frac{partial V{text{out}}}{partial I_{text{in}}}$，二者互為倒數關系（$g_m = 1/r_m$）。
與電導的區别：電導描述同一端口電壓電流關系，而跨導納表征輸入-輸出端口的跨端口特性。

四、典型器件中的計算

器件類型	跨導納公式	依賴參數
MOSFET	$g_m = sqrt{2mun C{ox} frac{W}{L} I_D}$	載流子遷移率$mun$、栅氧電容$C{ox}$
BJT	$g_m = frac{I_C}{V_T}$	集電極電流$I_C$

權威參考文獻：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (7th ed.), Oxford University Press.
IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms, IEEE Std 100.
Gray, P. R. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley.
Texas Instruments, Application Report: MOSFET Basics, 2021.

網絡擴展解釋

“跨導納”這一術語可能存在表述偏差或混淆。以下是相關概念的詳細解釋：

1. 導納（Admittance）導納是阻抗的倒數，表示電路允許電流通過的能力，用符號Y表示，單位為西門子(S)。它是一個複數，由電導G（實部）和電納B（虛部）組成： $$ Y = G + jB $$ 導納在交流電路中用于分析電流、電壓和功率的關系，與阻抗互為倒數關系（Y=1/Z）。

2. 跨導（Transconductance）跨導是電子學中的概念，定義為輸出電流變化量與輸入電壓變化量的比值，符號為( g_m )，單位也是西門子(S)。公式為： $$ gm = frac{Delta I{out}}{Delta V_{in}} $$ 跨導常用于描述放大器等器件的增益特性，如場效應管（FET）的放大能力。

可能的混淆點

提到“跨導與導納同義”，這一表述不夠嚴謹。跨導是輸入電壓到輸出電流的轉換參數，而導納是整體電路對電流的響應特性，兩者應用場景不同。
嚴格來說，“跨導納”并非标準術語，可能是對“跨導”或“導納”的誤寫。建議根據具體上下文區分使用這兩個概念。

總結若問題涉及放大器或晶體管特性，應使用“跨導”（( g_m )）；若分析交流電路的整體電流響應，則用“導納”（Y）。兩者均以西門子為單位，但物理意義和適用範圍不同。