跨导纳英文解释翻译、跨导纳的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transadmittance

分词翻译：

跨的英语翻译：

bestrad; cut across; step; straddle; stride
【机】 amphi-

导纳的英语翻译：

【化】 admittance

专业解析

在电子工程领域，跨导纳（Transconductance）是一个描述电子器件（如晶体管）输入电压对输出电流控制能力的关键参数。其标准定义和核心要点如下：

一、定义与数学表达

跨导纳（符号 $g_m$）定义为输出电流变化量与输入电压变化量之比，即： $$ gm = frac{partial I{text{out}}}{partial V_{text{in}}} $$ 单位为西门子（S）。例如，BJT晶体管的跨导纳可近似为： $$ g_m approx frac{I_C}{V_T} $$ 其中 $I_C$ 为集电极电流，$V_T$ 为热电压（约26mV@室温）。

二、物理意义与应用

放大器增益核心
跨导纳直接决定放大器的电压增益（$A_v = -gm cdot R{text{load}}$），是设计运算放大器、射频电路的核心参数。

器件灵敏度指标
$g_m$ 值越高，表明器件对输入电压的响应越灵敏，常用于评估场效应管（MOSFET）的开关速度。

三、与相关参数的对比

跨导纳 vs. 跨阻：跨阻（Transresistance）定义为 $rm = frac{partial V{text{out}}}{partial I_{text{in}}}$，二者互为倒数关系（$g_m = 1/r_m$）。
与电导的区别：电导描述同一端口电压电流关系，而跨导纳表征输入-输出端口的跨端口特性。

四、典型器件中的计算

器件类型	跨导纳公式	依赖参数
MOSFET	$g_m = sqrt{2mun C{ox} frac{W}{L} I_D}$	载流子迁移率$mun$、栅氧电容$C{ox}$
BJT	$g_m = frac{I_C}{V_T}$	集电极电流$I_C$

权威参考文献：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (7th ed.), Oxford University Press.
IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms, IEEE Std 100.
Gray, P. R. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley.
Texas Instruments, Application Report: MOSFET Basics, 2021.

网络扩展解释

“跨导纳”这一术语可能存在表述偏差或混淆。以下是相关概念的详细解释：

1. 导纳（Admittance）导纳是阻抗的倒数，表示电路允许电流通过的能力，用符号Y表示，单位为西门子(S)。它是一个复数，由电导G（实部）和电纳B（虚部）组成： $$ Y = G + jB $$ 导纳在交流电路中用于分析电流、电压和功率的关系，与阻抗互为倒数关系（Y=1/Z）。

2. 跨导（Transconductance）跨导是电子学中的概念，定义为输出电流变化量与输入电压变化量的比值，符号为( g_m )，单位也是西门子(S)。公式为： $$ gm = frac{Delta I{out}}{Delta V_{in}} $$ 跨导常用于描述放大器等器件的增益特性，如场效应管（FET）的放大能力。

可能的混淆点

提到“跨导与导纳同义”，这一表述不够严谨。跨导是输入电压到输出电流的转换参数，而导纳是整体电路对电流的响应特性，两者应用场景不同。
严格来说，“跨导纳”并非标准术语，可能是对“跨导”或“导纳”的误写。建议根据具体上下文区分使用这两个概念。

总结若问题涉及放大器或晶体管特性，应使用“跨导”（( g_m )）；若分析交流电路的整体电流响应，则用“导纳”（Y）。两者均以西门子为单位，但物理意义和适用范围不同。