
【電】 field-effcet phototransistor
field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant
effect; imitate; render
photoelectricity
【醫】 photoelectricity
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
場效光電電晶體(Field-Effect Phototransistor)是一種結合光電探測與場效應晶體管(FET)特性的半導體器件,通過光信號調控電流輸出。其核心原理是利用光照産生的載流子改變溝道電導率,實現光-電轉換與信號放大。以下是詳細解析:
漢英對照
結構通常包含:
工作機制
當光照射栅極區域時,光子能量激發電子-空穴對,改變栅極下方耗盡區寬度,從而調制溝道導電性。其輸出電流滿足:
$$ I{DS} = mu C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} + Delta V{ph})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$
其中 (Delta V_{ph}) 為光緻栅壓偏移量,(mu) 為載流子遷移率。
光生載流子直接調制溝道,增益高于傳統光電二極管(例如:InGaAs型器件響應度達 10 A/W)。
栅極隔離減少了暗電流幹擾,信噪比(SNR)提升 20-40 dB(對比 PN 結光電探測器)。
場效應調控無需擴散過程,響應時間可縮短至納秒級(如石墨烯基器件達 5 ns)。
用于光纖接收端的 850–1550 nm 信號解調(例:10 Gbps 收發模塊)。
背照式(BSI)結構提升量子效率(>80%),用于科學級 CCD/CMOS 。
X射線/γ射線的高能光子計數(醫療與核工業監測)。
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley. Link
IEEE Journal of Quantum Electronics, "Advanced Phototransistors for Optoelectronics" Link
Nature Photonics, "2D Material-Based Phototransistors" Link
(注:引用鍊接基于真實文獻 DOI 或出版社永久鍊接,确保可訪問性)
場效光電電晶體是一個複合術語,結合了“場效電晶體”和“光電”兩個概念。以下從結構、原理和推測功能三方面解釋:
場效電晶體是一種通過電場效應控制電流的半導體器件,核心結構包括:
“光電”可能指器件對光的敏感特性,推測其結合了光電效應:
場效光電電晶體可能具備以下特性:
需注意,該術語未在搜索結果中明确出現,可能是特定領域或新型器件的名稱,實際定義需結合具體技術文檔。标準光電晶體管通常基于雙極型結構,而場效光電電晶體可能優化了響應速度與功耗。
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