
【計】 bit packing density; bit storage density
位存儲密度(Bit Storage Density)指存儲介質單位面積或單位體積内可存儲的二進制位數,是衡量存儲設備物理空間利用效率的核心指标。其英文對應術語為"areal density"或"bit density",在計算機存儲領域常以每平方英寸千兆位(Gb/in²)或每平方厘米千兆位(Gb/cm²)為計量單位。
從技術實現角度分析,該參數直接關聯存儲介質的物理特性與信號處理技術。以硬盤為例,位存儲密度提升依賴于垂直磁記錄(PMR)和微波輔助磁記錄(MAMR)等創新技術。半導體存儲領域,三維NAND技術通過堆疊存儲單元層數,在單位晶圓面積内實現了高達1.33Tb/mm²的存儲密度突破。
行業标準組織JEDEC在JESD218規範中明确規定了存儲密度測試方法,要求考量溫度波動、信號衰減等實際工況因素。當前前沿研究聚焦于鐵電存儲器(FeRAM)和相變存儲器(PCM),其理論存儲密度可達現有閃存技術的10倍以上。
參考文獻:
位存儲密度是衡量存儲介質數據存儲效率的核心指标,其定義和應用可歸納如下:
基本定義
位存儲密度指在磁道方向上,單位長度内可存儲的二進制位數。例如,磁盤或磁帶等磁表面存儲設備中,沿磁道每英寸能容納的位數越多,位密度越高。
單位與計算
應用場景
與其他指标的關系
存儲密度廣義上包含面密度(位/平方英寸),即道密度與位密度的乘積,而位密度特指線性方向上的數據密度。
擴展說明:位密度提升需克服物理極限,如磁顆粒熱穩定性問題,現代技術通過垂直記錄等方式優化密度。
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