
【电】 grid bearing
bar
aspect; bearing; direction; heading; orientation; way
【计】 direction; orientation
在电子工程与半导体器件领域,"栅方向"(Gate Direction)指晶体管中栅极结构相对于源极和漏极的空间取向布局。该术语常见于金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与三维鳍式场效应晶体管(FinFET)的设计规范,具体包含两层技术内涵:
制造工艺基准轴
栅方向通常平行于晶圆切割基准线,在光刻工艺中作为定位参考系。该方向直接影响栅极氧化层厚度均一性(误差需控制在±2Å范围内)与离子注入角度精度(如45nm制程要求偏差小于0.5°)。
电性能调控维度
在FinFET器件中,栅方向垂直于鳍片沟道(典型鳍高30-50nm),通过栅极环绕结构实现更强的沟道控制能力。该方向设计可使亚阈值摆幅(Subthreshold Swing)降低至65mV/dec,较平面器件提升20%载流子迁移率。
权威技术标准可参考国际半导体技术路线图(ITRS 2024版)第3.2.7章节的纳米尺度器件架构指南,以及IEEE Transactions on Electron Devices期刊最新刊登的《三维集成电路栅极整合方案》实验数据。
“栅方向”这一表述在常规汉语词汇中并不常见,需结合具体语境理解。根据搜索结果中“栅”的多重含义,可以分角度解析:
基础语义
“栅”为多音字,主要读音及含义如下:
“方向”的可能关联
综合建议
“栅方向”需结合具体专业领域或语境进一步明确。例如:
如需更精准的解释,建议提供上下文或领域背景。中提到的“栅方向”英文翻译(未展示具体内容),或结合专业文献进一步查询。
【别人正在浏览】