缺陷晶格英文解釋翻譯、缺陷晶格的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 defect lattice

分詞翻譯：

缺陷的英語翻譯：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

晶格的英語翻譯：

crystal lattice
【計】 crystal lattice
【化】 crystal lattice; lattice

專業解析

缺陷晶格 (quēxiàn jīnggé) 在材料科學和固體物理學中，指晶體内部原子或離子排列的周期性結構存在不完整、不規則或偏離理想狀态的區域。其英文對應術語為Defective Lattice。

核心概念解析

理想晶格 vs. 缺陷晶格：
- 理想晶格：原子、離子或分子在三維空間嚴格按照周期性、對稱性規則無限重複排列，不存在任何偏差。
- 缺陷晶格：實際晶體中，由于生長條件、加工過程、輻照或摻雜等因素，其原子排列不可避免地會引入各種晶格缺陷 (Lattice Defects)，破壞了完美的周期性，此時可稱該晶體具有缺陷晶格。
缺陷的類型 (Types of Defects)：缺陷晶格中的缺陷主要分為以下幾類：
- 點缺陷 (Point Defects)：發生在晶格中單個原子位置或其鄰近區域的缺陷，是最基本的缺陷類型。包括：
  - 空位 (Vacancy)：晶格結點上缺少一個原子。
  - 間隙原子 (Interstitial Atom)：原子擠入晶格點陣之間的空隙中。
  - 置換原子 (Substitutional Atom)：外來原子取代了晶格點陣上的基體原子。
  - 弗倫克爾缺陷 (Frenkel Defect)：一個原子離開其正常位置進入間隙位置，形成空位-間隙原子對。
  - 肖特基缺陷 (Schottky Defect)：一對正負離子同時離開其晶格位置，在表面形成新原子層，内部留下成對的空位（主要在離子晶體中）, 。
- 線缺陷 (Line Defects / Dislocations)：指晶格中沿某一條線附近原子的排列發生錯排。最主要的是位錯 (Dislocation)，包括刃位錯和螺位錯。位錯對材料的力學性能（如塑性變形）有決定性影響。
- 面缺陷 (Planar Defects)：發生在二維平面上的缺陷。包括：
  - 晶界 (Grain Boundary)：同種材料内不同晶粒（晶體學取向不同的小區域）之間的界面。
  - 相界 (Phase Boundary)：材料中不同相之間的界面。
  - 堆垛層錯 (Stacking Fault)：晶體中原子堆垛順序發生錯誤的區域。
- 體缺陷 (Volume Defects)：在三維空間具有一定尺度的缺陷，如空洞、夾雜物、沉澱相等。
缺陷晶格的意義與影響：
- 普遍存在：絕對完美的晶體在現實中幾乎不存在，所有實際晶體都是缺陷晶格。
- 決定材料性能：晶格缺陷的類型、濃度和分布對材料的物理（電學、光學、熱學）、化學（擴散、反應活性）和力學（強度、塑性、韌性）性能有着至關重要的影響。例如：
  - 半導體摻雜依賴于引入特定的點缺陷（置換原子）。
  - 金屬的強化機制（如加工硬化、固溶強化、沉澱強化）都與控制缺陷（尤其是位錯）有關。
  - 離子導體的導電性依賴于點缺陷（空位、間隙離子）的遷移, , 。
- 研究焦點：理解和控制缺陷晶格是材料設計與改性的核心科學問題之一。

權威參考來源

International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC) - Compendium of Chemical Terminology (Gold Book)：提供“defect”、“lattice defect”等術語的權威定義。https://goldbook.iupac.org/ (檢索詞：defect, lattice defect)
Materials Science and Engineering: An Introduction (Callister & Rethwisch)：經典教材，系統闡述晶體結構、缺陷類型及其對性能的影響。
Introduction to Solid State Physics (Charles Kittel)：固體物理學标準教材，深入講解晶格動力學與缺陷。
中國國家标準 GB/T 10686-2013《材料科學技術術語》：提供“缺陷”、“點缺陷”、“線缺陷”、“面缺陷”等中文标準術語定義。
Encyclopedia of Materials: Science and Technology (Elsevier)：綜合性參考工具書，包含詳細條目解釋各類缺陷及其效應。
Nature Reviews Materials / Nature Materials：頂級期刊，刊載關于缺陷工程及其在先進材料中應用的前沿研究綜述。
Physical Review B (American Physical Society)：發表凝聚态物理和材料科學基礎研究的重要期刊，包含大量關于缺陷晶格的理論和實驗研究。

網絡擴展解釋

缺陷晶格（又稱晶格缺陷）是指晶體結構中因原子排列偏離理想周期性而産生的各種不完整性。這種缺陷會影響材料的物理、化學和機械性能。以下是主要分類及特點：

一、點缺陷（原子尺度）

空位缺陷：晶格結點上缺失原子，導緻局部密度降低（）。
間隙原子：外來原子擠入晶格間隙，可能引發晶格畸變（）。
替位原子：雜質原子取代晶格中原有原子的位置，改變材料性質（）。

二、線缺陷（一維延伸）

位錯：晶體局部滑移形成的線狀缺陷，如刃型位錯和螺型位錯，會阻礙材料塑性變形（）。

三、影響與意義

物理性能：缺陷可能降低導電性（如空位）、增加電阻或導緻輻照硬化（）。
機械性能：位錯運動影響材料強度，間隙原子可能導緻脆性增加（）。

示例：金屬中的空位缺陷在高溫下更容易形成（熱缺陷），而位錯密度高會使材料強度提升（加工硬化原理）。

如需更專業的分類（如面缺陷）或具體案例，可參考材料學教材或科研文獻。