雙極場效晶體管英文解釋翻譯、雙極場效晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 nesistor

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

場效晶體管的英語翻譯：

【電】 field-effect transistor

專業解析

雙極場效晶體管（Bipolar Field-Effect Transistor，簡稱BiFET）是一種結合雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）特性的複合半導體器件。其名稱解析如下：

1. 術語構成

   • 雙極（Bipolar）：指器件工作時涉及電子和空穴兩種載流子的輸運機制（源于BJT特性）。
   • 場效（Field-Effect）：指通過栅極電壓調控溝道電導率的控制方式（源于FET特性）。
   • 晶體管（Transistor）：具有信號放大與開關功能的三端半導體器件。

2. 工作原理

   BiFET通常将BJT的高電流驅動能力與FET的高輸入阻抗特性結合。例如：

   • 輸入級：采用FET結構，利用其低輸入電流特性減少信號源負載。
   • 輸出級：采用BJT結構，提供大電流增益和低輸出阻抗。

     這種組合在模拟集成電路（如運算放大器）中可優化高頻響應和功耗效率。

3. 技術優勢

   • 高輸入阻抗：降低電路輸入損耗（FET特性）。
   • 低噪聲：適用于精密放大電路。
   • 跨導增益：兼具電壓控制（FET）與電流驅動（BJT）能力。

4. 典型應用

   主要用于射頻電路、高速運算放大器及混合信號集成電路設計，例如：

   • 通信系統的低噪聲放大器（LNA）
   • 高精度ADC/DAC的緩沖級

學術參考文獻建議（無直接可引用鍊接時标注來源）：

• 半導體器件經典教材：《Physics of Semiconductor Devices》（S.M. Sze, Wiley）
• IEEE期刊論文：搜索"IEEE Xplore BiFET hybrid transistor"獲取最新研究
• 行業标準：參考ADI（Analog Devices）技術文檔"AN-940: BiFET Amplifier Applications"

（注：因搜索結果限制，未提供具體網頁鍊接，建議通過IEEE Xplore、Springer等學術平台驗證技術細節。）

網絡擴展解釋

“雙極場效晶體管”可能存在術語混淆。根據現有資料，雙極晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）是兩種不同類型的半導體器件，其核心區别如下：

1.雙極晶體管（BJT）

• 定義：由兩個PN結（PNP或NPN結構）組成的三端器件，工作時電子和空穴兩種載流子同時參與導電，因此稱為“雙極”。
• 結構：分為發射極、基極和集電極。以NPN型為例，當基極施加正向電壓時，發射區的電子擴散到基區，部分與空穴複合形成基極電流，大部分電子被集電極收集，形成集電極電流。
• 特點：電流驅動型，輸入阻抗低，適用于高頻放大和開關電路。

2.場效應晶體管（FET）

• 定義：通過電場效應控制電流的單極器件，僅依賴一種載流子（電子或空穴）導電。
• 結構：分為源極、栅極和漏極。通過栅極電壓改變導電溝道的寬度，從而控制漏極電流。
• 特點：電壓驅動型，輸入阻抗高，功耗低，常用于集成電路和放大電路。

3. 術語辨析

• “雙極場效晶體管”的誤區：現有資料中未提及結合雙極與場效應特性的晶體管。兩者原理不同：BJT依賴載流子擴散與複合，FET依賴電場控制溝道導通。
• 可能混淆點：部分資料将BJT簡稱為“晶體管”，而FET則明确為場效應器件。

如需進一步了解具體器件的工作原理或應用場景，可參考相關文獻或權威電子工程資料。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

芭蕉屬鮑氏白蛉小杭變種本土的財産所有制程式館成組分類碼襯膜組織磁帶結束标志孔電話地區號低溫電動機對應實體多級抽提附帶條件的合同複方碘仿塗劑符號檢驗抗蛋白酶藍色基ＲＴ螺旋性液晶钼磷酸铵皮帶伸長器強制性操作全國的區間基質散射光四鉻酸四氫蝶啶胎鍊調整器套領的同域