双极场效晶体管英文解释翻译、双极场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 nesistor

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

极的英语翻译：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus

场效晶体管的英语翻译：

【电】 field-effect transistor

专业解析

双极场效晶体管（Bipolar Field-Effect Transistor，简称BiFET）是一种结合双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）特性的复合半导体器件。其名称解析如下：

1. 术语构成

   • 双极（Bipolar）：指器件工作时涉及电子和空穴两种载流子的输运机制（源于BJT特性）。
   • 场效（Field-Effect）：指通过栅极电压调控沟道电导率的控制方式（源于FET特性）。
   • 晶体管（Transistor）：具有信号放大与开关功能的三端半导体器件。

2. 工作原理

   BiFET通常将BJT的高电流驱动能力与FET的高输入阻抗特性结合。例如：

   • 输入级：采用FET结构，利用其低输入电流特性减少信号源负载。
   • 输出级：采用BJT结构，提供大电流增益和低输出阻抗。

     这种组合在模拟集成电路（如运算放大器）中可优化高频响应和功耗效率。

3. 技术优势

   • 高输入阻抗：降低电路输入损耗（FET特性）。
   • 低噪声：适用于精密放大电路。
   • 跨导增益：兼具电压控制（FET）与电流驱动（BJT）能力。

4. 典型应用

   主要用于射频电路、高速运算放大器及混合信号集成电路设计，例如：

   • 通信系统的低噪声放大器（LNA）
   • 高精度ADC/DAC的缓冲级

学术参考文献建议（无直接可引用链接时标注来源）：

• 半导体器件经典教材：《Physics of Semiconductor Devices》（S.M. Sze, Wiley）
• IEEE期刊论文：搜索"IEEE Xplore BiFET hybrid transistor"获取最新研究
• 行业标准：参考ADI（Analog Devices）技术文档"AN-940: BiFET Amplifier Applications"

（注：因搜索结果限制，未提供具体网页链接，建议通过IEEE Xplore、Springer等学术平台验证技术细节。）

网络扩展解释

“双极场效晶体管”可能存在术语混淆。根据现有资料，双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）是两种不同类型的半导体器件，其核心区别如下：

1.双极晶体管（BJT）

• 定义：由两个PN结（PNP或NPN结构）组成的三端器件，工作时电子和空穴两种载流子同时参与导电，因此称为“双极”。
• 结构：分为发射极、基极和集电极。以NPN型为例，当基极施加正向电压时，发射区的电子扩散到基区，部分与空穴复合形成基极电流，大部分电子被集电极收集，形成集电极电流。
• 特点：电流驱动型，输入阻抗低，适用于高频放大和开关电路。

2.场效应晶体管（FET）

• 定义：通过电场效应控制电流的单极器件，仅依赖一种载流子（电子或空穴）导电。
• 结构：分为源极、栅极和漏极。通过栅极电压改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流。
• 特点：电压驱动型，输入阻抗高，功耗低，常用于集成电路和放大电路。

3. 术语辨析

• “双极场效晶体管”的误区：现有资料中未提及结合双极与场效应特性的晶体管。两者原理不同：BJT依赖载流子扩散与复合，FET依赖电场控制沟道导通。
• 可能混淆点：部分资料将BJT简称为“晶体管”，而FET则明确为场效应器件。

如需进一步了解具体器件的工作原理或应用场景，可参考相关文献或权威电子工程资料。

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