
n. 晶體管
This paper presents a logical design of one transister cell 4KRAM.
本文提出一種單管單元4KRAM的邏輯設計。
In this paper, design of intermatching network of Si microwave power transister is emphasized. The properties of power, bandwidth and power gain are analyzed.
着重論述了矽微波功率晶體管内匹配網絡的設計方法,對内匹配網絡的功率均分特性、帶寬特性,增益性能做了分析研究。
n.|tansistor;晶體管
晶體管(Transistor)是一種基于半導體材料制造的電子器件,主要用于放大電信號、控制電流或作為電子開關。它是現代電子技術的核心元件,廣泛應用于計算機、通信設備、消費電子等領域。
晶體管由三個半導體區域構成,分别為發射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。根據結構不同,主要分為雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)兩類。其工作原理基于半導體材料的導電性調控,通過輸入信號控制輸出電流參考來源:IEEE電子工程協會。
晶體管于1947年由貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓和威廉·肖克利發明,取代了傳統真空管,推動了電子設備的小型化和高效化。這一突破被認為是20世紀最重要的科技發明之一參考來源:麻省理工學院(MIT)開放課程。
以雙極型晶體管為例,當基極施加微小電流時,發射極與集電極之間會産生更大的電流放大效應。場效應晶體管則通過電場調節半導體通道的導電性,實現信號控制。數學上,其電流關系可表示為: $$ I_C = beta I_B $$ 其中,$I_C$為集電極電流,$I_B$為基極電流,$beta$為電流放大系數參考來源:《大英百科全書》晶體管條目。
單詞“transister”可能是拼寫錯誤,正确拼寫應為transistor(晶體管)。以下是詳細解釋:
晶體管是一種半導體器件,用于放大電信號、切換電路或調節電流。它是現代電子設備(如計算機、手機)的核心元件,取代了早期的真空管。
晶體管通過基極/栅極的小信號控制發射極-集極/源極-漏極的大電流,實現信號放大或開關功能。公式簡化表示為:
$$
I_C = beta I_B
$$
其中,$beta$為電流放大系數。
如需進一步了解技術細節或曆史背景(如1947年貝爾實驗室發明),可告知具體方向!
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