n. 晶体管
This paper presents a logical design of one transister cell 4KRAM.
本文提出一种单管单元4KRAM的逻辑设计。
In this paper, design of intermatching network of Si microwave power transister is emphasized. The properties of power, bandwidth and power gain are analyzed.
着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。
n.|tansistor;晶体管
晶体管（Transistor）是一种基于半导体材料制造的电子器件，主要用于放大电信号、控制电流或作为电子开关。它是现代电子技术的核心元件，广泛应用于计算机、通信设备、消费电子等领域。
晶体管由三个半导体区域构成，分别为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。根据结构不同，主要分为双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两类。其工作原理基于半导体材料的导电性调控，通过输入信号控制输出电流参考来源：IEEE电子工程协会。
晶体管于1947年由贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利发明，取代了传统真空管，推动了电子设备的小型化和高效化。这一突破被认为是20世纪最重要的科技发明之一参考来源：麻省理工学院（MIT）开放课程。
以双极型晶体管为例，当基极施加微小电流时，发射极与集电极之间会产生更大的电流放大效应。场效应晶体管则通过电场调节半导体通道的导电性，实现信号控制。数学上，其电流关系可表示为： $$ I_C = beta I_B $$ 其中，$I_C$为集电极电流，$I_B$为基极电流，$beta$为电流放大系数参考来源：《大英百科全书》晶体管条目。
单词“transister”可能是拼写错误，正确拼写应为transistor（晶体管）。以下是详细解释：
晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、切换电路或调节电流。它是现代电子设备（如计算机、手机）的核心元件，取代了早期的真空管。
晶体管通过基极/栅极的小信号控制发射极-集极/源极-漏极的大电流，实现信号放大或开关功能。公式简化表示为：
$$
I_C = beta I_B
$$
其中，$beta$为电流放大系数。
如需进一步了解技术细节或历史背景（如1947年贝尔实验室发明），可告知具体方向！
【别人正在浏览】