共汲级放大器英文解释翻译、共汲级放大器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 common-drain amplifier

分词翻译：

共的英语翻译：

altogether; common; general; share; together
【医】 sym-; syn-

汲的英语翻译：

draw water

级的英语翻译：

class; grade; level; o-level; rank; stage; step
【医】 grade

放大器的英语翻译：

amplifier; magnifier
【计】 amplifier; expandor; recording amplifier
【化】 amplifier
【医】 amplifier

专业解析

共汲级放大器（Common Drain Amplifier）是场效应晶体管（FET）的三种基本放大组态之一，其核心特点是输入信号施加于栅极（Gate），输出信号取自源极（Source），而漏极（Drain）作为交流信号的公共接地端（对交流信号等效为接地）。因其输出端位于源极，该电路也被称为源极跟随器（Source Follower），其功能与双极型晶体管（BJT）中的共集电极放大器（射极跟随器）类似。

以下是其关键特性详解：

电压增益（Voltage Gain）：
- 电压增益 (A_v) 近似等于 1（略小于 1），计算公式为： $$ A_v = frac{g_m R_S}{1 + g_m R_S} $$ 其中 (g_m) 是晶体管的跨导，(R_S) 是源极电阻。
- 输出电压 (V{out}) 几乎与输入电压 (V{in}) 同相且幅度非常接近，因此得名“跟随器”。这意味着该电路无法提供电压放大，主要用于电压缓冲。
输入阻抗（Input Impedance）：
- 输入阻抗非常高。这是因为栅极与沟道之间由绝缘层（如二氧化硅）隔离，在直流和低频下呈现极高的电阻（通常在 (10) 至 (10^{12}) 欧姆量级）。
- 高输入阻抗使其能够连接高输出阻抗的信号源而不产生显著的信号衰减或负载效应。
输出阻抗（Output Impedance）：
- 输出阻抗很低。输出阻抗 (R_{out}) 近似等于源极电阻 (R_S) 与跨导倒数 (1/gm) 的并联值： $$ R{out} approx frac{1}{g_m} parallel R_S $$ 通常 (1/g_m) 的值较小（几十到几百欧姆量级），因此整体输出阻抗较低。
- 低输出阻抗使其能够驱动低输入阻抗的负载而不产生显著的信号衰减。
电流增益（Current Gain）：
- 虽然电压增益接近 1，但电路可以提供显著的电流增益（输出电流大于输入电流）。这是其作为缓冲器驱动负载能力的关键。
相位关系（Phase Relationship）：
- 输入电压与输出电压之间是同相关系。输入电压增加导致源极电压相应增加。

主要应用：

阻抗变换/缓冲（Impedance Transformation / Buffering）：这是其最核心的应用。利用其高输入阻抗和低输出阻抗的特性，将其放置在信号源与负载之间，可以隔离前后级，防止高输出阻抗的信号源因驱动低输入阻抗负载而导致信号幅度大幅下降。它有效地将信号源的电压“传递”给负载，同时提供负载所需的驱动电流。
电平位移（Level Shifting）：由于源极电压跟随栅极电压但存在一个栅源电压 (V{GS}) 的直流偏移（对于增强型 MOSFET，(V{GS} > V_{th})），有时可用于小幅度的直流电平位移。

共汲级放大器（源极跟随器）是一种电压增益接近 1、输入阻抗极高、输出阻抗很低的放大器电路。它不提供电压放大，其主要价值在于其卓越的阻抗变换能力，常作为缓冲级用于隔离高阻抗信号源和低阻抗负载，确保信号电压能够高效、无失真地传输。其工作原理和特性与 BJT 的射极跟随器高度相似。

参考来源：

Microelectronic Circuits by Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith (Standard textbook covering FET amplifier configurations in detail)
Electronics Tutorials - Common Drain Amplifier: https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_6.html (Provides circuit diagrams and analysis)
All About Circuits - The Common-Drain Amplifier (JFET): https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-5/common-drain-amplifier/ (Focuses on JFET implementation)
Wikipedia - Common drain: https://en.wikipedia.org/wiki/Common_drain (Concise overview of key characteristics)

网络扩展解释

共汲级放大器（Common Drain Amplifier）是场效应管（FET）放大器的一种基本组态，也称为“源极跟随器”。以下是其详细解释：

1. 结构特点

电极连接方式：输入信号加载在栅极（Gate），输出信号从源极（Source）取出，漏极（Drain）作为交流信号的公共端。
电路特性：电压增益接近1（无电压放大能力），但具有电流放大功能。

2. 核心特性

高输入阻抗：栅极与源极/漏极之间绝缘，适合连接高阻抗信号源。
低输出阻抗：输出信号取自源极，阻抗较低，可驱动低阻抗负载。
相位关系：输出与输入信号同相位，因此称为“跟随器”。

3. 典型应用场景

阻抗匹配：用于前后级电路间阻抗转换（如话筒与功放之间）。
缓冲隔离：防止后级电路对前级的负载效应。
常见于射频电路、传感器接口等需信号隔离的场合。

补充说明

该电路因输出端在源极，也被称为“共漏放大器”（对应双极型晶体管的共集电极组态）。其名称差异源于不同教材或地区的术语习惯，核心原理一致。