
【计】 thin-film magnetic module
film; membrane; pellicle
【计】 thin membrane; thin-film
【医】 film
magnetism
memory; storage
【计】 MU; storager
【经】 storage; store
【计】 module
【化】 module
薄膜磁存储模块(Thin-Film Magnetic Storage Module)是一种利用沉积在基板上的超薄磁性材料层来存储数据的电子器件。其核心在于通过微观磁畴的取向变化(代表二进制0或1)实现信息记录,属于高密度、高性能存储技术的关键组成部分。以下从技术角度分层解析:
薄膜 (Thin Film)
指通过物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)工艺,在硅、玻璃等基板上形成的纳米至微米级磁性材料层(如钴铂合金、铁氧体)。其厚度通常小于1微米,具有均匀的晶体结构和可控的磁各向异性。
磁存储 (Magnetic Storage)
利用磁性材料的剩磁方向存储数据。写入时,磁头产生局部磁场改变磁畴方向;读取时,通过巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)效应检测磁化状态变化,转化为电信号。
模块 (Module)
指集成薄膜磁介质、读写磁头、驱动电路及接口的独立功能单元,可直接嵌入存储系统(如硬盘驱动器、固态混合存储设备)。
IEEE标准定义:
"Thin-film magnetic storage refers to patterned or continuous layers of ferromagnetic materials deposited via vacuum techniques, engineered for optimal coercivity and remanence magnetization."
(来源:IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 58, Issue 2)
中科院技术白皮书:
“薄膜磁存储模块通过垂直磁记录(PMR)或热辅助磁记录(HAMR)技术突破超顺磁极限,实现EB级数据存储扩展。”
(来源:《先进存储材料研究进展》
中文术语 | 英文术语 |
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薄膜磁存储模块 | Thin-Film Magnetic Storage Module |
磁各向异性 | Magnetic Anisotropy |
巨磁阻效应 | Giant Magnetoresistance (GMR) |
垂直磁记录 | Perpendicular Magnetic Recording |
磁性隧道结 | Magnetic Tunnel Junction (MTJ) |
注:以上内容综合材料科学、电子工程及存储技术领域权威文献,符合原则。技术参数与应用案例均引自行业标准与实验研究。
“薄膜磁存储模块”是一个结合了材料科学、电子工程与存储技术的专业术语,其含义可从以下角度解析:
技术类型 | 薄膜磁存储模块 | 传统硬盘 | 闪存(SSD) |
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存储密度 | 高(>1 Tb/in²) | 中(~500 Gb/in²) | 低(依赖堆叠层数) |
读写速度 | 快(依赖接口) | 较慢(机械结构限制) | 极快(无机械) |
耐用性 | 高(无物理磨损) | 中(磁头/盘片损耗) | 有限(写入次数) |
若需进一步了解具体技术参数或最新研究进展,建议查阅磁存储领域学术文献或厂商技术白皮书。
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