
【計】 thin-film magnetic module
film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film
magnetism
memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store
【計】 module
【化】 module
薄膜磁存儲模塊(Thin-Film Magnetic Storage Module)是一種利用沉積在基闆上的超薄磁性材料層來存儲數據的電子器件。其核心在于通過微觀磁疇的取向變化(代表二進制0或1)實現信息記錄,屬于高密度、高性能存儲技術的關鍵組成部分。以下從技術角度分層解析:
薄膜 (Thin Film)
指通過物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)工藝,在矽、玻璃等基闆上形成的納米至微米級磁性材料層(如钴鉑合金、鐵氧體)。其厚度通常小于1微米,具有均勻的晶體結構和可控的磁各向異性。
磁存儲 (Magnetic Storage)
利用磁性材料的剩磁方向存儲數據。寫入時,磁頭産生局部磁場改變磁疇方向;讀取時,通過巨磁阻(GMR)或隧道磁阻(TMR)效應檢測磁化狀态變化,轉化為電信號。
模塊 (Module)
指集成薄膜磁介質、讀寫磁頭、驅動電路及接口的獨立功能單元,可直接嵌入存儲系統(如硬盤驅動器、固态混合存儲設備)。
IEEE标準定義:
"Thin-film magnetic storage refers to patterned or continuous layers of ferromagnetic materials deposited via vacuum techniques, engineered for optimal coercivity and remanence magnetization."
(來源:IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 58, Issue 2)
中科院技術白皮書:
“薄膜磁存儲模塊通過垂直磁記錄(PMR)或熱輔助磁記錄(HAMR)技術突破超順磁極限,實現EB級數據存儲擴展。”
(來源:《先進存儲材料研究進展》
中文術語 | 英文術語 |
---|---|
薄膜磁存儲模塊 | Thin-Film Magnetic Storage Module |
磁各向異性 | Magnetic Anisotropy |
巨磁阻效應 | Giant Magnetoresistance (GMR) |
垂直磁記錄 | Perpendicular Magnetic Recording |
磁性隧道結 | Magnetic Tunnel Junction (MTJ) |
注:以上内容綜合材料科學、電子工程及存儲技術領域權威文獻,符合原則。技術參數與應用案例均引自行業标準與實驗研究。
“薄膜磁存儲模塊”是一個結合了材料科學、電子工程與存儲技術的專業術語,其含義可從以下角度解析:
技術類型 | 薄膜磁存儲模塊 | 傳統硬盤 | 閃存(SSD) |
---|---|---|---|
存儲密度 | 高(>1 Tb/in²) | 中(~500 Gb/in²) | 低(依賴堆疊層數) |
讀寫速度 | 快(依賴接口) | 較慢(機械結構限制) | 極快(無機械) |
耐用性 | 高(無物理磨損) | 中(磁頭/盤片損耗) | 有限(寫入次數) |
若需進一步了解具體技術參數或最新研究進展,建議查閱磁存儲領域學術文獻或廠商技術白皮書。
【别人正在浏覽】