
【机】 electron concentration
electron
【化】 electron
【医】 e.; electron
chroma; consistence; consistency; deepness; strength
【化】 concentration
【医】 concentration; M-concentration M; strength
在电子工程与半导体物理学领域,电子浓度(Electron Concentration) 指单位体积内自由电子的数量,是描述半导体材料导电特性的核心参数之一。其标准定义为:
中文定义
电子浓度(( n ))表示在半导体导带中,单位体积(通常为立方厘米,cm⁻³)内可参与导电的自由电子数目。其数值直接影响材料的电导率,关系式为:
$$sigma = q(mu_n n + mu_p p)$$
其中 (sigma) 为电导率,(q) 为电子电荷,(mu_n) 和 (mu_p) 分别为电子和空穴迁移率,(p) 为空穴浓度。
英文定义
Electron concentration (( n )) is defined as the number of free electrons per unit volume in the conduction band of a semiconductor. It is a key parameter in determining electrical conductivity, expressed as:
$$sigma = q(mu_n n + mu_p p)$$
where (sigma) is conductivity, (q) is electron charge, (mu_n) and (mu_p) are electron/hole mobilities, and (p) is hole concentration.
本征半导体
在纯净半导体(如硅)中,电子浓度与空穴浓度相等(( n = p = n_i )),( n_i ) 为本征载流子浓度,随温度升高指数增长。例如,硅在300K时 ( n_i approx 1.5 times 10^{10} , text{cm}^{-3} ) 。
掺杂效应
温度依赖性
低温下,电子浓度受杂质电离主导;高温时,本征激发成为主要来源,导致 ( n ) 急剧上升。
系统阐述载流子浓度模型与半导体基础理论。来源:McGraw-Hill Education
"Carrier Concentration" 条目详述计算模型。来源:HyperPhysics
多篇研究论文分析纳米尺度下电子浓度的量子效应。来源:IEEE Xplore
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电子浓度在不同学科背景下有不同的定义和计算方法,主要分为以下两类:
基本概念
电子浓度通常指单位体积内的自由电子数量,即电子密度。例如,在半导体或导体中,它表示每立方米(或立方厘米)所含的导电电子数目。
计算方法
若需进一步了解具体材料的计算方法或实验测定技术,可参考相关文献或专业教材。
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