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电压基准管英文解释翻译、电压基准管的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 voltage-reference tube

分词翻译:

电压的英语翻译:

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

基准的英语翻译:

criterion; datum; norm; standard
【计】 base; baseline; BM
【经】 reference frame

管的英语翻译:

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

电压基准管(Voltage Reference Diode)

汉英对照定义

电压基准管是一种用于提供稳定、精确参考电压的半导体器件,英文术语为 Voltage Reference DiodeReference Zener Diode。其核心功能是生成不受输入电压波动、温度变化影响的恒定电压值,为电路系统提供校准基准。


核心特性与原理

  1. 工作模式

    • 基于齐纳击穿(Zener Breakdown)或带隙基准(Bandgap Reference)原理实现电压稳定。齐纳二极管型基准管通常在反向击穿区工作,而集成电路型基准(如带隙基准)利用半导体能带特性生成低温漂电压。
    • 关键参数包括初始精度(±0.1%~±2%)、温度系数(0.5 ppm/℃~100 ppm/℃)和长期漂移。
  2. 与普通稳压管的区别

    电压基准管强调高精度与低漂移,普通稳压二极管(如1N47系列)仅提供基础稳压功能,精度和温漂指标较低。


典型应用场景


权威技术标准与参考来源

  1. IEEE标准

    IEEE Std 181-2011 定义了电压基准的测试方法,涵盖线性度、噪声等参数。

  2. 半导体厂商技术文档
    • 德州仪器(TI) 《电压基准设计指南》 详述带隙基准电路设计(链接)。
    • 亚德诺半导体(ADI) 《电压基准手册》 分析噪声优化策略(链接)。
  3. 国家标准

    中国国标GB/T 4377-2018 规范了半导体基准电压源的测试条件。


关键术语中英对照表

中文 英文
初始精度 Initial Accuracy
温度系数 Temperature Coefficient
长期稳定性 Long-Term Stability
带隙基准 Bandgap Reference
齐纳击穿 Zener Breakdown

注:现代电压基准器件已不限于二极管形态,集成电路型基准(如LM4040、REF50xx系列)成为主流,其性能远超传统齐纳管结构。

网络扩展解释

电压基准管(全称电压基准二极管)是一种用于提供高精度、稳定参考电压的半导体器件,常被称为齐纳二极管或稳压二极管的升级版本。以下是详细解释:

1.定义与核心功能

电压基准管通过反向击穿特性工作,在电路中提供稳定且精确的电压参考值。与普通稳压二极管相比,其设计更注重低温度系数、高精度和长期稳定性。

2.工作原理

3.与普通稳压二极管的区别

特性 电压基准管 普通稳压二极管
精度 高(±0.1%以内) 较低(±5%左右)
温度系数 极小(可低至1ppm/℃) 较大(约5mV/℃)
应用场景 精密仪器、ADC/DAC参考源 电源稳压、过压保护

4.主要应用

5.关键参数

如需更详细的技术参数或具体型号选型建议,可参考电子元器件手册或专业设计指南。

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