
【计】 gate-to-pin ratio
class; door; gate; gateway; ostium; phylum; school
【计】 gate
【医】 binary division; hili; hilum; hilus; phylum; pore; Pori; porta; portae
portal; porus; pyla
【经】 portal
down-lead
【电】 lead
compare; compete; ratio; than
【医】 proportion; ratio
【经】 Benelux; benelux customs union; benelux economic union
"门引线比"是电子工程领域集成电路设计中的专业参数,其英文对应为"Gate-to-Contact Ratio"。该术语描述MOS晶体管中栅极区域与接触孔引线之间的空间比例关系,主要用于衡量晶体管布局密度与电气性能的平衡状态。
核心定义可表述为: $$ text{门引线比} = frac{W{gate}}{L{contact}} $$ 其中$W{gate}$代表栅极宽度,$L{contact}$表示接触孔引线间距。该比值直接影响晶体管的导通电阻和寄生电容,需控制在特定范围内以确保电路性能(IEEE Transactions on Electron Devices,2018)。
在半导体制造工艺中,门引线比的优化涉及三个关键考量:
该参数的典型应用场景包括:
关于“门引线比”一词的详细解释如下:
词语结构分析:
可能的专业含义: 根据词语组合推测,“门引线比”可能是特定领域(如电路设计、建筑工程等)中用于描述门结构相关引线的比例参数。例如:
现存参考资料: 目前可查到的权威资料仅提及该词存在于海词词典,但未提供具体释义。建议通过以下方式获取更准确信息:
由于该词属于生僻术语,如需准确释义请补充上下文或参考行业标准文件()。
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