集极截止电流英文解释翻译、集极截止电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 collector cutoff current

分词翻译：

集极的英语翻译：

【电】 collector

截止电流的英语翻译：

【电】 cutoff current

专业解析

集极截止电流（Collector Cut-off Current）是双极型晶体管（BJT）在特定工作状态下的关键参数，定义为当基极-发射极电压（$V{BE}$）为零或反向偏置时，集电极与基极之间流过的微小泄漏电流，记作$I{CBO}$。该参数反映了晶体管在截止区（非导通状态）的漏电流特性，其数值通常在微安（μA）或纳安（nA）级别，直接影响器件的功耗与开关性能。

从物理机制分析，集极截止电流主要由以下因素构成：

反向饱和电流：集电结反向偏置时，少数载流子穿过耗尽层形成的电流；
表面泄漏电流：半导体表面缺陷或污染导致的额外载流子迁移；
温度依赖性：遵循公式 $$ I_{CBO} = I_S cdot e^{frac{qE_g}{kT}} $$ 其中$E_g$为材料带隙，$T$为绝对温度，$k$为玻尔兹曼常数。

工程应用中，该参数是评估晶体管关断特性的核心指标。例如在开关电源设计中，较低的$I{CBO}$可减少静态功耗并提升效率。根据IEEE标准1254协议，测试时需确保$V{CE}$不超过击穿电压且结温稳定在25°C。实际数据可参考德州仪器（TI）发布的《BJT参数测量手册》或安森美（ON Semiconductor）的2N3904型号规格书。

权威文献来源：

《Fundamentals of Microelectronics》第3章（Behzad Razavi著）
国际电气与电子工程师协会（IEEE）标准文件编号STD 1254-2020
美国国家标准技术研究院（NIST）半导体参数数据库

网络扩展解释

集极截止电流是双极型晶体管（BJT）在特定截止状态下的漏电流，主要涉及以下核心内容：

1.定义与电路条件

集极截止电流通常指Icbo（发射极开路时的集电结反向饱和电流）。此时，晶体管处于共基极组态，发射极（E）开路，集电极（C）和基极（B）之间的PN结反向偏置，形成漏电流。该电流反映了集电结在反向电压下的载流子扩散特性。

2.物理意义

Icbo的数值较小，因为它仅由少数载流子的漂移运动产生。相较于单个PN结的反向饱和电流，Icbo更小，这得益于晶体管结构的优化。例如，掺杂浓度差异（集电结掺杂较低）会进一步抑制漏电流。

3.与其他截止电流的区别

Iceo（穿透电流）：基极开路时，发射极与集电极之间的反向电流，数值约为Icbo×β（β为电流放大系数）。
Iebo：集电极开路时发射结的反向饱和电流，由于发射结高掺杂，其值可能小于Icbo。

4.应用与影响

集极截止电流是衡量晶体管关断特性的重要参数。过高的Icbo会导致器件功耗增加，甚至引发热失控。在电路设计中需结合温度、材料等因素综合评估。

公式表示

Icbo的计算可近似为反向饱和电流公式： $$ I_{CBO} = IS left( e^{frac{V{CB}}{V_T}} -1 right) $$ 其中，$I_S$为反向饱和电流，$VT$为热电压，$V{CB}$为集电结反向电压。