寄存器刷新英文解释翻译、寄存器刷新的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 register refresh

break; refurbish; renovate; renovation
【计】 refresh

寄存器刷新（Register Refresh）是电子工程与计算机体系结构中的关键技术概念，指通过周期性电信号重新写入数据以维持动态随机存取存储器（DRAM）中电荷稳定的过程。其核心原理在于DRAM单元依赖电容存储电荷，而电容会因自然放电导致数据丢失，刷新操作通过重复读取并重写数据来补偿电荷泄漏。

刷新操作通过以下步骤实现：

行地址选择：向存储阵列发送行地址信号（RAS）
电荷放大：感应放大器读取并放大电容残余电荷
数据重写：将放大后的电压重新写入原存储单元数学公式描述刷新周期为： $$ T_{text{refresh}} = frac{text{总行数}}{text{刷新率}} $$ 典型参数为8192行对应7.8μs刷新间隔（基于DDR4规范）。

注：本文技术定义参考《计算机体系结构：量化研究方法》第6版（David A. Patterson, John L. Hennessy）及JEDEC固态技术协会公开标准文档。

关于“寄存器刷新”的解释如下：

寄存器基本概念
寄存器是计算机中用于临时存储数据或指令的高速存储器件，通常由触发器构成，直接与CPU交互。其特点是访问速度极快，但容量较小。
寄存器是否需要刷新？
- 普通寄存器（如CPU通用寄存器）不需要刷新，因为其基于静态存储技术（如SRAM），通电期间数据会持续保持。
- 刷新操作常见于动态随机存储器（DRAM），因其依赖电容存储电荷，电荷会自然流失，需周期性补充（即刷新）。
可能的混淆场景
若听到“寄存器刷新”，可能涉及以下特殊情况：
- 某些外设寄存器（如显卡寄存器）在特定硬件设计中可能需要重新加载配置；
- 虚拟化技术中模拟寄存器的状态同步；
- 对寄存器内容的软件层面重置操作（非硬件电路刷新）。
总结建议
寄存器刷新并非通用计算机架构的标准概念。若您遇到该术语的具体使用场景，建议结合上下文（如技术文档、芯片手册）进一步确认其具体含义。