合金接面二极管英文解释翻译、合金接面二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 fused-junction diode

分词翻译：

合金的英语翻译：

alloy; metal
【化】 alloy
【医】 alloy
【经】 alloy

接面二极管的英语翻译：

【电】 junction rectifier

专业解析

合金接面二极管（Alloy Junction Diode）是一种通过合金化工艺形成的半导体器件，其核心结构由P型与N型半导体材料通过高温熔融结合形成PN结。该技术起源于20世纪中期，现仍广泛应用于高频整流和信号检测领域。

从汉英术语对照角度解析：

合金接面：对应"alloy junction"，指通过金属（如铝、铟）与半导体材料（如锗、硅）高温熔合形成的界面；
二极管：对应"diode"，指具有单向导电特性的两电极器件。

其制造过程包含两个关键阶段：首先将掺杂金属颗粒置于半导体晶圆表面，随后在惰性气体环境中加热至共晶温度，使金属与半导体原子扩散形成突变型PN结。相较于生长结二极管，合金结具有更陡峭的杂质浓度梯度，反向恢复时间可缩短至纳秒级（$t_{rr} leq 10 ns$），特别适用于开关电源等高频场景。

根据IEEE电子器件协会的技术报告，典型合金结二极管参数包括： $$ V_F = 0.3-0.7 V (I_F=100 mA) VR > 50 V I{R} < 1 μA (V_R=20 V) $$ 这些特性使其在AM无线电检波、低压整流等传统应用中保持不可替代性（来源：SEMICONDUCTOR DEVICES: Theory and Application, McGraw-Hill）。

网络扩展解释

以下解释基于半导体器件基础知识进行综合说明：

合金接面二极管（Alloy Junction Diode）是一种通过合金工艺制造的半导体二极管，其核心特点是利用金属与半导体材料的熔合形成PN结。以下是关键要点：

制造原理
将金属材料（如铟、铝）与N型半导体基片（如锗或硅）在高温下熔合，金属中的受主杂质扩散进入半导体，形成P型区域，从而构成PN结。例如，早期锗二极管常采用铟球与N型锗结合加热制成。
结构特性
- 结面积大：合金工艺易形成较厚的PN结，适合承载高电流。
- 耐压较低：结区杂质分布陡峭，反向击穿电压通常低于扩散法二极管。
- 频率限制：因结电容较大，高频性能较差，多用于低频整流。
典型应用
主要用于电源整流、大电流开关等场景，如老式收音机中的检波与整流电路。
对比其他工艺
- 与扩散法对比：合金法工艺简单、成本低，但精度和频率响应较差。
- 与点接触二极管对比：合金结耐电流能力更强，但响应速度较慢。

注意：该术语在现代半导体领域已较少使用，更多被平面工艺（如外延生长、离子注入）取代。若涉及具体器件参数，建议参考最新技术手册或提供更多上下文以进一步确认。