
【计】 silicon monolithic circuit
硅单块电路(Silicon Monolithic Integrated Circuit)是电子工程领域的核心概念,指将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在同一块硅基半导体材料上的微型化电路系统。其英文对应术语为“monolithic circuit”,词源来自希腊语“mono”(单一)和“lithos”(岩石),强调电路元件在单一硅片上的不可分割性。
从技术实现层面,硅单块电路采用平面工艺技术,通过氧化、光刻、扩散等步骤在硅衬底上分层构建元件。例如双极型晶体管与MOS结构的集成需精确控制掺杂浓度(典型范围在$10^{15}$至$10^{20}$ atoms/cm³),以实现pn结的电气隔离特性。该技术突破使现代微处理器得以在1平方厘米面积内集成超过百亿个晶体管(来源:IEEE电子器件期刊)。
在应用领域,此类电路广泛应用于通信设备(如5G基站射频模块)、计算机系统(CPU/GPU芯片组)及汽车电子(ECU控制单元)。根据国际半导体技术路线图(ITRS)数据,硅基单块电路的制程节点已推进至3nm级别,单位面积晶体管密度较1970年代提升了千万倍(来源:半导体工业协会白皮书)。
行业标准文件JEDEC JESD88指出,硅单块电路需满足严格的可靠性测试标准,包括1000小时高温反偏试验(HTRB)和500次温度循环测试(TCT),确保在-55°C至150°C环境下的稳定运作(来源:JEDEC官网技术文档)。
“硅单块电路”(Silicon Monolithic Circuit)是一个电子学领域的专业术语,其核心含义可结合搜索结果解释如下:
硅单块电路指将多个电子元件(如晶体管、电阻、电容等)集成在单一硅基板上的集成电路,所有元件通过半导体工艺(如光刻、掺杂等)在同一块硅片上制造完成。英文对应词为“silicon monolithic circuit”,也译作“硅单片式电路”。
这种技术推动了电子设备的微型化和高性能化,例如手机芯片、传感器等均基于此原理。目前主流集成电路(如CPU、存储器)均属于硅单块电路的延伸发展。
如需进一步了解制造工艺或具体应用场景,可参考电子学专业文献或行业技术文档。
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