磊晶扩散台面式电晶体英文解释翻译、磊晶扩散台面式电晶体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 epitaxial diffused-mesa transistor

分词翻译：

晶的英语翻译：

brilliant; crystal; glittering

扩散的英语翻译：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

台的英语翻译：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【医】 table

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

式的英语翻译：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶体的英语翻译：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

专业解析

磊晶扩散台面式电晶体（Epitaxial Diffusion Mesa Transistor）是一种基于半导体制造工艺的晶体管结构，其核心特点结合了外延生长、扩散掺杂和台面蚀刻技术。以下是其详细解释及技术要点：

一、术语分解与工艺解析

磊晶（Epitaxy）
指在单晶衬底（如硅片）上外延生长一层结构与衬底匹配的单晶层。该工艺可精确控制杂质浓度和厚度，为器件提供低缺陷、高迁移率的活性层。外延层常用于优化晶体管的击穿电压和频率特性。
扩散（Diffusion）
通过高温热扩散将掺杂剂（如硼、磷）引入半导体特定区域，形成PN结或电阻区。在台面晶体管中，扩散用于定义基极和发射极区域，实现载流子可控传输。
台面式（Mesa）
通过蚀刻在半导体表面形成凸起的平台结构（类似"台地"），使有源区与周围隔离。这种结构可减小寄生电容，提升高频性能，并增强PN结的机械稳定性。

二、器件结构与工作原理

核心构造：在低阻衬底上生长高阻外延层→通过光刻和扩散形成基区/发射区→选择性蚀刻形成台面隔离结构。
电学特性：利用台面边缘的耗尽区抑制表面漏电流，外延层支撑高反向电压，扩散工艺精准调控电流增益（β值）。适用于高频放大、开关电路等场景。

三、技术优势与应用

高频性能：台面隔离显著降低集电极-基极电容（C~cb~），截止频率（f~T~）可达数百MHz。
高压能力：外延层的高电阻率提升击穿电压（BV~ceo~），适用于电源管理电路。
可靠性：台面结构减少表面污染导致的失效，早期广泛应用于军用和工业设备。

权威参考来源：

《半导体器件物理与工艺》（第三版），Chapter 6 "晶体管技术"（需访问谷歌图书）
IEEE电子器件学会. 《标准晶体管制造工艺白皮书》（IEEE Xplore数据库文献）
应用材料公司. 《台面蚀刻技术在功率器件中的应用》（行业技术白皮书）

网络扩展解释

“磊晶扩散台面式电晶体”是一个半导体领域的专业术语，结合搜索结果和行业背景可拆解如下：

电晶体（Transistor）
即晶体管，是一种基于半导体材料的电子元件，用于放大、开关或调制电信号。其核心功能是通过输入电压控制输出电流，具有高速响应特性（实验室中切换速度可达100GHz以上）。
磊晶（Epitaxial）
指“外延生长”工艺，即在半导体基底上生长单晶层。这种工艺能形成高纯度、低缺陷的晶体结构，常用于提升器件性能。
扩散（Diffusion）
半导体制造中的关键掺杂技术，通过高温将杂质原子扩散到晶圆内部，形成P-N结等结构，从而调控材料的导电特性。
台面式（Mesa）
一种通过蚀刻形成的台阶状结构，可将晶体管的有源区域与周围隔离，减少漏电流和寄生电容，常见于高频或高功率器件中。

综合解释
该术语描述的是一种结合了外延生长、扩散掺杂和台面结构的晶体管。其制造过程可能为：先在基底上外延生长半导体层，再通过扩散工艺形成特定掺杂区域，最后蚀刻出台面结构以优化性能。此类设计可能用于高频通信、功率放大等场景，兼顾高效率和稳定性。

由于搜索结果中未提供更详细的技术参数，建议参考半导体器件专业文献或行业标准文件进一步了解。