磊晶擴散台面式電晶體英文解釋翻譯、磊晶擴散台面式電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 epitaxial diffused-mesa transistor

分詞翻譯：

晶的英語翻譯：

brilliant; crystal; glittering

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

台的英語翻譯：

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table

面的英語翻譯：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

式的英語翻譯：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

磊晶擴散台面式電晶體（Epitaxial Diffusion Mesa Transistor）是一種基于半導體制造工藝的晶體管結構，其核心特點結合了外延生長、擴散摻雜和台面蝕刻技術。以下是其詳細解釋及技術要點：

一、術語分解與工藝解析

磊晶（Epitaxy）
指在單晶襯底（如矽片）上外延生長一層結構與襯底匹配的單晶層。該工藝可精确控制雜質濃度和厚度，為器件提供低缺陷、高遷移率的活性層。外延層常用于優化晶體管的擊穿電壓和頻率特性。
擴散（Diffusion）
通過高溫熱擴散将摻雜劑（如硼、磷）引入半導體特定區域，形成PN結或電阻區。在台面晶體管中，擴散用于定義基極和發射極區域，實現載流子可控傳輸。
台面式（Mesa）
通過蝕刻在半導體表面形成凸起的平台結構（類似"台地"），使有源區與周圍隔離。這種結構可減小寄生電容，提升高頻性能，并增強PN結的機械穩定性。

二、器件結構與工作原理

核心構造：在低阻襯底上生長高阻外延層→通過光刻和擴散形成基區/發射區→選擇性蝕刻形成台面隔離結構。
電學特性：利用台面邊緣的耗盡區抑制表面漏電流，外延層支撐高反向電壓，擴散工藝精準調控電流增益（β值）。適用于高頻放大、開關電路等場景。

三、技術優勢與應用

高頻性能：台面隔離顯著降低集電極-基極電容（C~cb~），截止頻率（f~T~）可達數百MHz。
高壓能力：外延層的高電阻率提升擊穿電壓（BV~ceo~），適用于電源管理電路。
可靠性：台面結構減少表面污染導緻的失效，早期廣泛應用于軍用和工業設備。

權威參考來源：

《半導體器件物理與工藝》（第三版），Chapter 6 "晶體管技術"（需訪問谷歌圖書）
IEEE電子器件學會. 《标準晶體管制造工藝白皮書》（IEEE Xplore數據庫文獻）
應用材料公司. 《台面蝕刻技術在功率器件中的應用》（行業技術白皮書）

網絡擴展解釋

“磊晶擴散台面式電晶體”是一個半導體領域的專業術語，結合搜索結果和行業背景可拆解如下：

電晶體（Transistor）
即晶體管，是一種基于半導體材料的電子元件，用于放大、開關或調制電信號。其核心功能是通過輸入電壓控制輸出電流，具有高速響應特性（實驗室中切換速度可達100GHz以上）。
磊晶（Epitaxial）
指“外延生長”工藝，即在半導體基底上生長單晶層。這種工藝能形成高純度、低缺陷的晶體結構，常用于提升器件性能。
擴散（Diffusion）
半導體制造中的關鍵摻雜技術，通過高溫将雜質原子擴散到晶圓内部，形成P-N結等結構，從而調控材料的導電特性。
台面式（Mesa）
一種通過蝕刻形成的台階狀結構，可将晶體管的有源區域與周圍隔離，減少漏電流和寄生電容，常見于高頻或高功率器件中。

綜合解釋
該術語描述的是一種結合了外延生長、擴散摻雜和台面結構的晶體管。其制造過程可能為：先在基底上外延生長半導體層，再通過擴散工藝形成特定摻雜區域，最後蝕刻出台面結構以優化性能。此類設計可能用于高頻通信、功率放大等場景，兼顧高效率和穩定性。

由于搜索結果中未提供更詳細的技術參數，建議參考半導體器件專業文獻或行業标準文件進一步了解。