掺杂氧扩散英文解释翻译、掺杂氧扩散的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 doped oxide diffusion

*****erate; *****eration; intermingle
【计】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【医】 *****eration

oxygen
【医】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

在材料科学与半导体工程领域，"掺杂氧扩散"（Oxygen-doped diffusion）指通过热力学工艺将氧原子作为掺杂剂引入晶体结构，并利用扩散机制实现原子层级分布调控的技术过程。该术语可分解为三个核心部分：

掺杂（Doping）
指在半导体基底材料（如硅晶体）中有目的地掺入微量杂质原子以改变其电学特性。氧原子在此过程中作为p型或n型掺杂剂，具体取决于材料体系。例如在硅基材料中，氧掺杂可形成深能级缺陷态，影响载流子迁移率。
氧扩散（Oxygen Diffusion）
根据菲克扩散定律，氧原子在高温环境（通常800-1200℃）下通过晶格间隙或空位机制进行迁移，扩散系数遵循阿伦尼乌斯方程：

$$ D = D_0 expleft(-frac{E_a}{k_B T}right) $$

其中$E_a$为激活能，$k_B$为玻尔兹曼常数，该过程受晶格缺陷密度和温度梯度直接影响。
工艺整合
在集成电路制造中，该技术常用于调整MOSFET器件的阈值电压，或改善功率半导体器件的击穿特性。美国材料试验协会（ASTM）F723标准中规定了相关工艺参数的质量控制要求。

该技术的工业应用可参考《半导体材料工程手册》（Springer, 2022版）第7章，以及IEEE电子器件汇刊（IEEE Transactions on Electron Devices）2023年关于高k介质材料氧掺杂的研究综述。

掺杂氧扩散是指在材料制备或处理过程中，通过掺杂工艺引入氧杂质，并伴随氧原子在材料内部的扩散运动。以下是分点解释：

掺杂氧扩散是材料科学中一种复合工艺或现象，既包含氧作为掺杂剂的引入，也涉及其在材料中的动态迁移。需根据具体工艺（如高温退火条件）和材料体系（如硅基半导体）分析其对性能的影响。