摻雜氧擴散英文解釋翻譯、摻雜氧擴散的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 doped oxide diffusion

分詞翻譯：

摻雜的英語翻譯：

*****erate; *****eration; intermingle
【計】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【醫】 *****eration

氧的英語翻譯：

oxygen
【醫】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas

擴散的英語翻譯：

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

專業解析

在材料科學與半導體工程領域，"摻雜氧擴散"（Oxygen-doped diffusion）指通過熱力學工藝将氧原子作為摻雜劑引入晶體結構，并利用擴散機制實現原子層級分布調控的技術過程。該術語可分解為三個核心部分：

1. 摻雜（Doping）

   指在半導體基底材料（如矽晶體）中有目的地摻入微量雜質原子以改變其電學特性。氧原子在此過程中作為p型或n型摻雜劑，具體取決于材料體系。例如在矽基材料中，氧摻雜可形成深能級缺陷态，影響載流子遷移率。

2. 氧擴散（Oxygen Diffusion）

   根據菲克擴散定律，氧原子在高溫環境（通常800-1200℃）下通過晶格間隙或空位機制進行遷移，擴散系數遵循阿倫尼烏斯方程：

   $$ D = D_0 expleft(-frac{E_a}{k_B T}right) $$

   其中$E_a$為激活能，$k_B$為玻爾茲曼常數，該過程受晶格缺陷密度和溫度梯度直接影響。

3. 工藝整合

   在集成電路制造中，該技術常用于調整MOSFET器件的阈值電壓，或改善功率半導體器件的擊穿特性。美國材料試驗協會（ASTM）F723标準中規定了相關工藝參數的質量控制要求。

該技術的工業應用可參考《半導體材料工程手冊》（Springer, 2022版）第7章，以及IEEE電子器件彙刊（IEEE Transactions on Electron Devices）2023年關于高k介質材料氧摻雜的研究綜述。

網絡擴展解釋

摻雜氧擴散是指在材料制備或處理過程中，通過摻雜工藝引入氧雜質，并伴隨氧原子在材料内部的擴散運動。以下是分點解釋：

1.基本概念

• 摻雜：指在材料合成或加工過程中，有目的地向基質（如矽）摻入氧原子等雜質，以改變其物理或化學性質。例如，在半導體制造中，摻雜可調整材料的電學特性。
• 擴散：指雜質原子（如氧）在材料内部因濃度梯度或熱運動，從高濃度區域向低濃度區域遷移的過程。

2.兩者關系

• 工藝階段不同：摻雜通常在材料制備階段完成（如矽晶圓生長時加入氧），而擴散多發生在後續高溫處理過程中（如退火時氧遷移）。
• 可能的結合：某些情況下，摻雜通過擴散實現。例如，在高溫下将氧擴散到矽中，形成摻雜層。

3.氧擴散的特性

• 快速擴散：氧在矽等材料中擴散速度快，高溫下易發生體内偏聚或向表面外擴散。
• 擴散機理：可能以間隙式或特殊結構形式遷移，如在矽中形成快速擴散通道。

4.應用與影響

• 半導體制造：氧摻雜可影響矽的電學性能，而擴散可能導緻氧濃度分布變化，進而影響器件可靠性（如産生缺陷或雜質聚集）。
• 材料改性：通過控制氧的摻雜和擴散，可調控材料的光學、機械性能。

摻雜氧擴散是材料科學中一種複合工藝或現象，既包含氧作為摻雜劑的引入，也涉及其在材料中的動态遷移。需根據具體工藝（如高溫退火條件）和材料體系（如矽基半導體）分析其對性能的影響。

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