栅漏电容器英文解释翻译、栅漏电容器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid-leak capacitor

分词翻译：

栅漏的英语翻译：

【计】 grid leak

电容器的英语翻译：

capacitor
【化】 capacitor; condenser
【医】 capacitor; condenser

专业解析

栅漏电容器（Gate-Drain Capacitor）是场效应晶体管（FET）中的关键寄生电容参数，英文术语为C_gd（Capacitance Gate-Drain）。它表示场效应管栅极与漏极之间因绝缘层和半导体结构形成的固有电容，属于器件高频特性分析的核心指标。

在电路设计中，栅漏电容会引发米勒效应（Miller Effect），导致高频信号放大时输入阻抗降低和相位失真。例如，在射频功率放大器或开关电源中，C_gd的数值直接影响器件的截止频率（f_T）和最大振荡频率（f_max）。典型数值范围为0.1 pF至10 pF，具体取决于晶体管类型（如MOSFET、JFET）及工艺尺寸。

根据国际电气与电子工程师协会（IEEE）标准，栅漏电容的测量需在特定偏置条件下完成，例如V_DS=0 V时的小信号AC分析。其数学表达式为： $$ C_{gd} = frac{partial Q_g}{partial V_d} $$ 其中Q_g为栅极电荷，V_d为漏极电压。

该参数的优化涉及半导体材料选择（如GaN的高电子迁移率特性）和三维鳍式结构设计，相关技术细节可参考《固态电子器件》（第七版）第9章内容。

网络扩展解释

栅漏电容器（Grid-leak capacitor）是电子电路中的一种特殊电容器，主要用于早期电子管（真空管）电路中，其功能与信号处理和偏置控制相关。以下是详细解释：

基本结构
由电容器与栅漏电阻（grid-leak resistor）共同组成RC电路，通常连接在电子管的栅极和地之间。其英文名称为“grid-leak capacitor”。
核心作用
- 信号耦合：允许高频交流信号通过，同时阻隔直流分量，避免影响电子管的工作点。
- 自动偏置：通过栅漏电阻的泄漏电流形成栅极负偏压，简化电路设计。
- 检波功能：在无线电接收电路中，与二极管配合实现信号解调（如AM检波）。
典型应用场景
常见于20世纪早期的电子管收音机、放大器等设备，尤其在栅极检波电路中起关键作用。现代半导体电路中类似功能多由其他元件实现。
技术原理
电容器的时间常数（τ=RC）需与信号频率匹配：过大导致信号失真，过小则滤波效果不足。设计时需平衡响应速度和信号完整性。

注意：由于电子管技术逐渐被半导体取代，栅漏电容器在现代电子中应用较少，但其原理仍为理解经典电路设计的基础。如需更权威的电路实例，建议查阅电子管技术手册或经典电子学教材。