栅漏電容器英文解釋翻譯、栅漏電容器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid-leak capacitor

分詞翻譯：

栅漏的英語翻譯：

【計】 grid leak

電容器的英語翻譯：

capacitor
【化】 capacitor; condenser
【醫】 capacitor; condenser

專業解析

栅漏電容器（Gate-Drain Capacitor）是場效應晶體管（FET）中的關鍵寄生電容參數，英文術語為C_gd（Capacitance Gate-Drain）。它表示場效應管栅極與漏極之間因絕緣層和半導體結構形成的固有電容，屬于器件高頻特性分析的核心指标。

在電路設計中，栅漏電容會引發米勒效應（Miller Effect），導緻高頻信號放大時輸入阻抗降低和相位失真。例如，在射頻功率放大器或開關電源中，C_gd的數值直接影響器件的截止頻率（f_T）和最大振蕩頻率（f_max）。典型數值範圍為0.1 pF至10 pF，具體取決于晶體管類型（如MOSFET、JFET）及工藝尺寸。

根據國際電氣與電子工程師協會（IEEE）标準，栅漏電容的測量需在特定偏置條件下完成，例如V_DS=0 V時的小信號AC分析。其數學表達式為： $$ C_{gd} = frac{partial Q_g}{partial V_d} $$ 其中Q_g為栅極電荷，V_d為漏極電壓。

該參數的優化涉及半導體材料選擇（如GaN的高電子遷移率特性）和三維鳍式結構設計，相關技術細節可參考《固态電子器件》（第七版）第9章内容。

網絡擴展解釋

栅漏電容器（Grid-leak capacitor）是電子電路中的一種特殊電容器，主要用于早期電子管（真空管）電路中，其功能與信號處理和偏置控制相關。以下是詳細解釋：

基本結構
由電容器與栅漏電阻（grid-leak resistor）共同組成RC電路，通常連接在電子管的栅極和地之間。其英文名稱為“grid-leak capacitor”。
核心作用
- 信號耦合：允許高頻交流信號通過，同時阻隔直流分量，避免影響電子管的工作點。
- 自動偏置：通過栅漏電阻的洩漏電流形成栅極負偏壓，簡化電路設計。
- 檢波功能：在無線電接收電路中，與二極管配合實現信號解調（如AM檢波）。
典型應用場景
常見于20世紀早期的電子管收音機、放大器等設備，尤其在栅極檢波電路中起關鍵作用。現代半導體電路中類似功能多由其他元件實現。
技術原理
電容器的時間常數（τ=RC）需與信號頻率匹配：過大導緻信號失真，過小則濾波效果不足。設計時需平衡響應速度和信號完整性。

注意：由于電子管技術逐漸被半導體取代，栅漏電容器在現代電子中應用較少，但其原理仍為理解經典電路設計的基礎。如需更權威的電路實例，建議查閱電子管技術手冊或經典電子學教材。