栅极限制英文解释翻译、栅极限制的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid limiting

bar

limit; terminal; the maximum; utmost
【化】 limit(ing) point

make; manufacture; restrict; system; work out
【计】 SYM
【医】 system

栅极限制（Gate Limitation）是半导体器件（特别是场效应晶体管FET）中的核心概念，指器件的性能或工作状态主要受其栅极结构或栅极电压控制的物理现象。该术语包含两层含义：

结构限制（Structural Limitation）
栅极作为MOSFET的三端之一，其物理尺寸（如栅极长度 (L_g)）和材料特性直接决定器件的电学行为。例如：
- 短沟道效应：当栅长缩短至纳米级时，栅极对沟道载流子的控制能力减弱，导致漏电流增大和阈值电压漂移。
- 栅氧层厚度限制：超薄栅氧层（如<1nm）易因量子隧穿引发漏电，限制器件可靠性和功耗表现。来源：微电子学教材共识。
电学特性限制（Electrical Limitation）
栅极电压 (V_g) 的施加范围直接影响器件工作模式：
- 阈值电压约束：当 (Vg < V{th})（阈值电压）时，沟道无法形成导通路径，器件处于截止区。
- 饱和区操作：在 (Vg > V{th}) 且漏源电压 (V{ds}) 较高时，沟道出现夹断，电流受栅压控制而与 (V{ds}) 无关，满足平方律关系： $$ Id = frac{mu C{ox}}{2} frac{W}{L} (Vg - V{th}) $$ 其中 (mu) 为载流子迁移率，(C_{ox}) 为单位面积栅氧电容，(W/L) 为沟道宽长比。来源：半导体器件物理经典模型。

工程影响：

栅极限制决定了现代集成电路的微型化极限。例如在FinFET设计中，三维栅极结构通过增强栅控能力来突破平面器件的短沟道限制（来源：IEEE电子器件期刊技术综述）。同时，栅极介电材料的创新（如高κ介质）可缓解栅极漏电问题，支撑摩尔定律延续。

栅极是电子管中的关键电极，其核心功能在于控制电流和调节电子管性能。以下是详细解释：

1. 基本定义与结构栅极位于电子管内部，是最靠近阴极的电极，通常由金属细丝制成筛网状或螺旋状结构。这种特殊结构使其能有效拦截或引导电子流。

2. 核心功能特性 •电流控制：通过调节栅极电压，可精确控制从阴极流向阳极的电子数量，实现对板极电流强度的限制
•性能调节：改变栅极电位能调整电子管的放大倍数、频率响应等参数
•信号调制：在放大电路中，栅极作为信号输入端，其电压微小变化即可引起阳极电流显著变化。

3. "限制"作用的体现栅极通过以下方式实现电流限制：

4. 发音说明作为专业术语时读作shān jí（ㄕㄢㄐㄧˊ），与日常用语中"栅栏"的"zhà"发音不同。

该器件在现代半导体技术中仍有衍生应用，如场效应晶体管（FET）中的栅极结构即源于此原理。