栅極限制英文解釋翻譯、栅極限制的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid limiting

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

極限的英語翻譯：

limit; terminal; the maximum; utmost
【化】 limit(ing) point

制的英語翻譯：

make; manufacture; restrict; system; work out
【計】 SYM
【醫】 system

專業解析

栅極限制（Gate Limitation） 是半導體器件（特别是場效應晶體管FET）中的核心概念，指器件的性能或工作狀态主要受其栅極結構或栅極電壓控制的物理現象。該術語包含兩層含義：

1. 結構限制（Structural Limitation）

   栅極作為MOSFET的三端之一，其物理尺寸（如栅極長度 (L_g)）和材料特性直接決定器件的電學行為。例如：

   • 短溝道效應：當栅長縮短至納米級時，栅極對溝道載流子的控制能力減弱，導緻漏電流增大和阈值電壓漂移。
   • 栅氧層厚度限制：超薄栅氧層（如<1nm）易因量子隧穿引發漏電，限制器件可靠性和功耗表現。來源：微電子學教材共識。

2. 電學特性限制（Electrical Limitation）

   栅極電壓 (V_g) 的施加範圍直接影響器件工作模式：

   • 阈值電壓約束：當 (Vg < V{th})（阈值電壓）時，溝道無法形成導通路徑，器件處于截止區。
   • 飽和區操作：在 (Vg > V{th}) 且漏源電壓 (V{ds}) 較高時，溝道出現夾斷，電流受栅壓控制而與 (V{ds}) 無關，滿足平方律關系： $$ Id = frac{mu C{ox}}{2} frac{W}{L} (Vg - V{th}) $$ 其中 (mu) 為載流子遷移率，(C_{ox}) 為單位面積栅氧電容，(W/L) 為溝道寬長比。來源：半導體器件物理經典模型。

工程影響：

栅極限制決定了現代集成電路的微型化極限。例如在FinFET設計中，三維栅極結構通過增強栅控能力來突破平面器件的短溝道限制（來源：IEEE電子器件期刊技術綜述）。同時，栅極介電材料的創新（如高κ介質）可緩解栅極漏電問題，支撐摩爾定律延續。

網絡擴展解釋

栅極是電子管中的關鍵電極，其核心功能在于控制電流和調節電子管性能。以下是詳細解釋：

1. 基本定義與結構 栅極位于電子管内部，是最靠近陰極的電極，通常由金屬細絲制成篩網狀或螺旋狀結構。這種特殊結構使其能有效攔截或引導電子流。

2. 核心功能特性 •電流控制：通過調節栅極電壓，可精确控制從陰極流向陽極的電子數量，實現對闆極電流強度的限制
•性能調節：改變栅極電位能調整電子管的放大倍數、頻率響應等參數
•信號調制：在放大電路中，栅極作為信號輸入端，其電壓微小變化即可引起陽極電流顯著變化。

3. "限制"作用的體現 栅極通過以下方式實現電流限制：

• 負電壓時形成電場屏障，減少到達陽極的電子數量
• 正電壓時雖會吸引電子，但網狀結構仍會截留部分電子
• 通過電位差動态調節導通阈值

4. 發音說明 作為專業術語時讀作shān jí（ㄕㄢ ㄐㄧˊ），與日常用語中"栅欄"的"zhà"發音不同。

該器件在現代半導體技術中仍有衍生應用，如場效應晶體管（FET）中的栅極結構即源于此原理。

分類

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