
【计】 three grid valve
三栅管(Tri-gate Transistor)是一种三维晶体管结构,其英文名称为"Tri-gate Transistor"或"3D Transistor"。该技术由英特尔于2011年首次商业化应用,通过在三侧布置栅极结构(顶部、左侧和右侧),相比传统平面晶体管可显著提升电子迁移效率,降低漏电率。
从结构特性分析,三栅管采用鳍式场效应晶体管(FinFET)设计,垂直半导体鳍片被栅极三面包裹,形成更有效的沟道控制。这种设计使得22纳米制程节点下的晶体管开关速度提升37%,同时能耗降低50%。
在半导体制造领域,三栅管技术解决了平面晶体管在20纳米以下制程的物理极限问题。根据IEEE发布的器件物理模型,其亚阈值摆幅(Subthreshold Swing)可优化至60mV/decade,接近理论极限值。
行业应用方面,该技术已广泛应用于英特尔酷睿处理器、移动SoC芯片等产品线。国际半导体技术路线图(ITRS)指出,三维晶体管结构将持续主导10纳米至3纳米制程节点的器件架构。
“三栅管”是一个电子工程领域的专业术语,其含义和用法可总结如下:
基本定义
三栅管对应的法语翻译为 trigrille,英语则译为 three grid valve 。这一术语指代一种具有三个栅极结构的电子管器件,主要用于信号放大或电流控制。
结构与功能推测
从名称分析,“栅”指电子管中的控制栅极。传统电子管通常含有一个或两个栅极(如三极管、四极管),而三栅管可能通过增加第三个栅极实现更复杂的信号调制功能,例如抑制二次电子发射或优化高频特性。但具体技术细节需结合专业文献进一步确认。
应用领域
此类器件可能曾用于早期无线电设备、放大器电路等场景。随着半导体技术的发展,三栅管已逐渐被晶体管取代,但在某些特殊领域(如高功率射频设备)可能仍有应用。
补充说明
搜索结果中未提供详细技术参数或示意图,建议通过电子工程手册或真空管技术专著获取更全面的解释。若涉及具体电路设计,需结合上下文语境判断其实际功能。
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