破坏性读操作英文解释翻译、破坏性读操作的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 destructive read operation

分词翻译：

破坏的英语翻译：

destroy; spoil; ruin; demolish; wreck; sabotage; destruction; subversion
torpedo; wreckage
【计】 blow-up
【医】 destruction
【经】 baffled; breach of confidence

性的英语翻译：

character; gender; nature; quality; sex
【医】 gam-; gamo-; geno-; sex

读的英语翻译：

attend school; read
【计】 R
【医】 reading

操作的英语翻译：

handle; manipulate; operate
【计】 FUNC; O; OP
【化】 manipulation
【医】 procedure; technic; technique
【经】 operation

专业解析

破坏性读操作（Destructive Read Operation）指在数据读取过程中，存储介质中的原始信息会被清除或改变的读取方式。该术语源于计算机硬件设计领域，特指某些存储器（如早期磁芯存储器或动态随机存取存储器DRAM）的物理特性：读取数据时，存储单元的电荷或磁状态会被重置，导致原始数据丢失，需通过"重写"操作恢复数据。其核心特征为"读取即破坏" ，与"非破坏性读取"（如ROM或闪存）形成对比。

技术原理与影响

物理机制：DRAM利用电容存储电荷表示二进制数据。读取时，电容放电导致电荷归零（数据归0），需通过放大器和刷新电路立即回写数据。
系统开销：强制引入"读取-放大-回写"流程，增加延迟与功耗，是DRAM速度受限的关键因素之一。
可靠性挑战：若回写过程被中断（如断电），将导致数据永久丢失，需依赖纠错码（ECC）等机制保障完整性。

应用场景与演进

历史场景：20世纪60年代磁芯存储器依赖破坏性读取，现代DRAM仍延续此特性。
现代优化：通过"隐藏刷新"（Hidden Refresh）和缓存技术降低性能影响，但根本特性未变。
替代方案：非易失性存储器（如3D NAND闪存）采用非破坏性读取，但读写速度与寿命仍逊于DRAM。

权威参考来源

《计算机组成与设计：硬件/软件接口》（David Patterson & John Hennessy, 第6版）, 第2章讨论DRAM操作机制。
IEEE论文《DRAM技术演进中的功耗管理》（IEEE Xplore DOI: 10.1109/ISVLSI.2018.00054）, 分析破坏性读取的能效影响。
期刊《ACM存储系统汇刊》"非易失性存储器可靠性研究"（ACM Digital Library 文章ID 3489472）, 对比不同存储介质的读取特性。

网络扩展解释

“破坏性读操作”是一个计算机领域的术语，结合搜索结果中的信息，其含义可综合解释如下：

1.基本定义

“破坏性读操作”对应的英文是destructive read operation，指在数据读取过程中，原始数据被清除或改变的操作。这类操作的特点是读取后原数据不再保留，通常需要额外的操作（如重新写入）来恢复原始状态。

2.技术特点

数据不可保留性：读取后原存储位置的数据被破坏，例如某些动态存储器（DRAM）在读取后需通过电路刷新数据。
应用场景：常见于硬件存储设计或特定编程操作中。例如，在jQuery中，某些方法（如.find()）会修改原对象的结构，导致后续无法访问原数据。

3.与“非破坏性操作”的区别

非破坏性操作（如拷贝读取）会保留原始数据，而破坏性操作会直接影响原始数据。例如：

破坏性操作：arr.shift()（移除数组第一个元素，原数组被修改）。
非破坏性操作：arr.slice()（返回新数组，原数组不变）。

4.补充说明

中文语境中，“破坏性”广义指对原有结构的摧毁或扰乱（如毁坏物体、违反规则等），但在计算机领域特指数据或对象状态的不可逆改变。

如需进一步了解技术细节，可参考计算机存储器原理或编程中数据操作的文档。