破坏读取式内存英文解释翻译、破坏读取式内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 destructive readout memory

分词翻译：

破坏的英语翻译：

destroy; spoil; ruin; demolish; wreck; sabotage; destruction; subversion
torpedo; wreckage
【计】 blow-up
【医】 destruction
【经】 baffled; breach of confidence

读取的英语翻译：

【计】 read

式的英语翻译：

ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

专业解析

在电子工程领域，“破坏读取式内存”（Destructive Read Memory，简称 DRM）指的是一种特殊类型的存储器，其读取操作会破坏存储单元中原有的数据状态。以下是详细解释：

1. 核心概念与中英文对照

破坏读取 (Destructive Read)：指读取数据的过程会改变或清除存储单元原有的电荷、磁化状态等物理表示，导致原始信息丢失。
读取式内存 (Read Memory)：指该存储器的核心功能是数据读取，但此读取行为具有破坏性。
英文术语：
- Destructive Read-Out：强调读取即破坏的特性。
- Destructive Read Memory (DRM)：标准技术术语，常见于文献。

2. 技术原理

破坏性读取源于存储介质的物理特性。例如：

磁芯存储器（早期 DRM）：读取时需施加反向电流脉冲翻转磁化方向以感应电压，读取后原数据（0或1）被破坏，需立即执行“重写”操作恢复数据。
动态随机存储器（DRAM 的部分特性）：虽非完全破坏性读取，但读取时会耗尽存储电容电荷，需通过刷新电路恢复数据，原理类似。

3. 典型应用与局限性

应用场景：早期计算机系统（如 IBM 360）的磁芯内存；某些特殊传感器或模拟存储电路。
缺点：需额外设计“读后重写”电路，增加系统复杂性和延迟；易因重写失败导致数据丢失。

4. 现代技术关联

现代存储器（如 DRAM、Flash）通过设计优化避免了完全破坏性读取，但 DRAM 的“破坏性预充电”机制仍保留部分特性，需周期性刷新维持数据。

权威参考来源：

计算机存储器发展史综述（《IEEE 计算史年鉴》）
磁芯存储器工作原理详解（麻省理工学院开放课程资料）
存储电路设计基础（加州大学伯克利分校 EECS 教材）

: IEEE Annals of the History of Computing, "Magnetic Core Memory: A Historical Overview"

: MIT OpenCourseWare, "Design of Early Computer Memory Systems"

: UC Berkeley EE141, "Digital Integrated Circuits: Memory Design"

网络扩展解释

“破坏读取式内存”是一个技术术语，其含义需结合构成词拆分理解：

内存
指计算机的内部存储器（简称内存），用于临时存储运行中的程序和数据。其特点是读写速度快，但断电后数据会丢失。
破坏读取式
对应英文术语destructive readout memory，特指一种读取数据时会破坏原有存储内容的存储器类型。其工作原理是：在读取数据过程中，原有存储单元的电信号会被消耗或改变，导致数据丢失，因此需要额外的电路在读取后重新写入数据以恢复原内容。

技术特点

主要用于早期计算机内存技术（如磁芯存储器）。
需要配合“再生电路”实现数据恢复。
与现代常见的非破坏性读取内存（如DRAM、SRAM）形成对比。

该术语属于电子技术领域专用词汇，实际应用中已逐渐被非破坏性读取技术取代。