隧道整流管英文解释翻译、隧道整流管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 tunnel rectifier

分词翻译：

隧道的英语翻译：

tube; tunnel
【医】 cuniculus; histosiphon; tunnel

整流管的英语翻译：

【医】 rectifying valves

专业解析

隧道整流管（Tunnel Rectifier Diode）是一种结合量子隧道效应与整流功能的半导体器件。其核心原理基于电子在PN结势垒中的量子隧穿现象，能够在特定偏置电压下实现高频信号的高效单向导通。该器件在微波通信、高频电源转换及脉冲电路中具有重要应用。

从结构上看，隧道整流管采用重掺杂半导体材料形成狭窄的耗尽层（通常小于10nm），通过精确控制掺杂浓度（约10¹⁹~10²⁰ cm⁻³），使得电子具备足够的隧穿概率。其电流-电压特性曲线呈现典型的负阻区域，数学表达式为： $$ I = I0(e^{qV/nkT} - 1) - I{tunnel}(V) $$ 其中$I_{tunnel}$表征隧穿电流分量。

相较于传统整流二极管，隧道整流管的独特优势包括：

纳秒级反向恢复时间（<1ns）
工作频率可达THz范围
正向开启电压低于0.1V 这些特性使其在5G基站功放模块和相控阵雷达系统中被广泛采用（参考《微波电子器件设计手册》第三章）。需要注意的是，器件参数需满足IEC 60747-5标准规定的可靠性要求。

网络扩展解释

隧道整流管是一种结合隧道二极管特性的半导体器件，主要用于高频整流或特殊电路应用。以下是详细解释：

核心原理基于隧道效应（量子隧穿），其PN结采用重掺杂工艺，形成极薄的势垒区（约10⁻⁶米），使电子无需克服势垒即可穿透。正向偏置时，电流先快速上升至峰值后下降，呈现负阻特性；反向偏置时则表现为低阻导通状态。
结构特点
- 材料：通常为锗或砷化镓
- 掺杂浓度：P型和N区均为高浓度掺杂（约10¹⁹/cm³）
- 结厚度：比普通二极管薄约100倍
功能特性
- 高频整流：可在100kHz以上频率工作
- 快速开关：响应速度达纳秒级
- 低噪声：适用于精密仪器信号处理
应用场景
- 微波电路中的检波与混频
- 高速脉冲整形电路
- 低噪声放大器前级

需注意，"隧道整流管"这一术语在工程领域较少单独使用，更多作为隧道二极管的功能拓展描述。其英文对应为"Tunnel Rectifier"。实际应用中需配合特定电路设计才能发挥最佳整流性能。