隧道整流管英文解釋翻譯、隧道整流管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 tunnel rectifier

分詞翻譯：

隧道的英語翻譯：

tube; tunnel
【醫】 cuniculus; histosiphon; tunnel

整流管的英語翻譯：

【醫】 rectifying valves

專業解析

隧道整流管（Tunnel Rectifier Diode）是一種結合量子隧道效應與整流功能的半導體器件。其核心原理基于電子在PN結勢壘中的量子隧穿現象，能夠在特定偏置電壓下實現高頻信號的高效單向導通。該器件在微波通信、高頻電源轉換及脈沖電路中具有重要應用。

從結構上看，隧道整流管采用重摻雜半導體材料形成狹窄的耗盡層（通常小于10nm），通過精确控制摻雜濃度（約10¹⁹~10²⁰ cm⁻³），使得電子具備足夠的隧穿概率。其電流-電壓特性曲線呈現典型的負阻區域，數學表達式為： $$ I = I0(e^{qV/nkT} - 1) - I{tunnel}(V) $$ 其中$I_{tunnel}$表征隧穿電流分量。

相較于傳統整流二極管，隧道整流管的獨特優勢包括：

納秒級反向恢複時間（<1ns）
工作頻率可達THz範圍
正向開啟電壓低于0.1V 這些特性使其在5G基站功放模塊和相控陣雷達系統中被廣泛采用（參考《微波電子器件設計手冊》第三章）。需要注意的是，器件參數需滿足IEC 60747-5标準規定的可靠性要求。

網絡擴展解釋

隧道整流管是一種結合隧道二極管特性的半導體器件，主要用于高頻整流或特殊電路應用。以下是詳細解釋：

核心原理基于隧道效應（量子隧穿），其PN結采用重摻雜工藝，形成極薄的勢壘區（約10⁻⁶米），使電子無需克服勢壘即可穿透。正向偏置時，電流先快速上升至峰值後下降，呈現負阻特性；反向偏置時則表現為低阻導通狀态。
結構特點
- 材料：通常為鍺或砷化镓
- 摻雜濃度：P型和N區均為高濃度摻雜（約10¹⁹/cm³）
- 結厚度：比普通二極管薄約100倍
功能特性
- 高頻整流：可在100kHz以上頻率工作
- 快速開關：響應速度達納秒級
- 低噪聲：適用于精密儀器信號處理
應用場景
- 微波電路中的檢波與混頻
- 高速脈沖整形電路
- 低噪聲放大器前級

需注意，"隧道整流管"這一術語在工程領域較少單獨使用，更多作為隧道二極管的功能拓展描述。其英文對應為"Tunnel Rectifier"。實際應用中需配合特定電路設計才能發揮最佳整流性能。