隧道电压英文解释翻译、隧道电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 tunnel voltage

分词翻译：

隧道的英语翻译：

tube; tunnel
【医】 cuniculus; histosiphon; tunnel

电压的英语翻译：

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

专业解析

隧道电压（Tunnel Voltage）

在电子工程与物理学领域，隧道电压（Tunnel Voltage）指触发量子隧穿效应所需的临界电压。量子隧穿是微观粒子（如电子）穿越高于其自身能量的势垒的量子力学现象。隧道电压的大小直接决定了电子隧穿的概率，其典型值在纳米级器件（如隧道二极管、闪存单元）中通常为几毫伏至几伏，具体取决于材料能带结构和势垒厚度。

核心特性与物理意义

量子隧穿机制
当外加电压使势垒两侧的能级对齐时，电子可穿越绝缘层（如氧化物势垒），形成隧穿电流。隧道电压 ( V_t ) 满足以下关系：

$$ J propto expleft(-frac{4pi d}{h}sqrt{2mphi}right) $$

其中 ( J ) 为隧穿电流密度，( d ) 为势垒厚度，( m ) 为电子质量，( phi ) 为势垒高度，( h ) 为普朗克常数。电压通过调制 ( phi ) 影响隧穿概率。
器件应用中的关键参数
- 隧道二极管（Esaki二极管）：利用负微分电阻区实现高频振荡，工作电压通常低于 0.1V。
- 闪存存储器：通过 Fowler-Nordheim 隧穿注入电荷，隧道电压约 10–20V，用于数据写入/擦除。

影响因素与典型值

参数	影响	典型范围
势垒厚度	厚度每减少 1nm，隧道电压显著降低	1–5 nm
势垒高度	材料界面能带偏移（如 Si/SiO₂ 的 3.1eV）决定最小隧穿电压	0.5–4 eV
温度	高温下热激发增强，隧穿电压小幅降低	—

权威参考文献

量子隧穿理论
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（半导体器件物理）, Wiley, 1981.

（链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329）
闪存器件应用
Y. Nishi et al., IEEE Transactions on Electron Devices, "Tunneling Phenomena in MOS Structures"（MOS结构中的隧穿现象）, 2002.

（链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/1021042）
隧道二极管设计
L. Esaki, Physical Review, "New Phenomenon in Narrow Germanium p‐n Junctions"（窄锗p-n结中的新现象）, 1958.

（链接：https://journals.aps.org/pr/abstract/10.1103/PhysRev.109.603）

网络扩展解释

“隧道电压”这一术语在不同场景下有不同的含义，需结合具体领域进行解释：

一、隧道供电系统的电压标准

供电电压等级
- 常规隧道采用三相五线制400/230V供电，长大隧道（如超长隧道）可提升至6~10kV的高压供电。
- 动力设备（如通风机、水泵）的标准电压为380V，成洞区域照明使用220V，而施工区域及手持工具需采用安全电压36V。
安全电压要求
在潮湿、密闭环境（如隧道、矿井）中，安全电压通常为24V以下，特殊场景可能低至12V。

二、电力输送隧道的电压分类

电力隧道按输送电压等级划分，常见规格包括220kV、500kV等，具体根据输电需求设计。

三、隧道电压异常问题

电压偏低可能由电源波动、线路阻抗或负载突变引起，可通过隧道升压器（基于电磁感应原理）调节电压至稳定范围。

四、术语补充

英文对应为tunnel voltage，主要用于电子工程领域的隧道效应相关研究。

提示：如需了解具体场景的电压参数或技术细节，建议参考电力设计规范或工程标准文件。