双极型晶体管英文解释翻译、双极型晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bipolar transistor

分词翻译：

双极的英语翻译：

【医】 twin pole

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一种利用两种载流子（电子与空穴）参与导电的三端半导体器件，通过基极电流控制集电极-发射极间电流，具有电流放大功能。其名称“双极”强调电子与空穴两种极性载流子共同参与导电机制。

一、核心结构与工作原理

结构组成
BJT由三层半导体材料构成，形成两个PN结：
- 发射区（Emitter）：重掺杂，提供多数载流子。
- 基区（Base）：极薄且轻掺杂，控制载流子传输。
- 集电区（Collector）：中度掺杂，收集载流子。
  根据掺杂类型分为NPN型与PNP型（见图1）。
放大原理
当发射结正偏、集电结反偏时：
- 发射区向基区注入载流子（NPN为电子，PNP为空穴）。
- 基区薄层使多数载流子扩散至集电结，被强电场扫入集电区。
- 基极电流 (I_B) 微小变化可控制集电极电流 (I_C) 大幅变化，实现电流放大：
  $$ I_C = beta I_B $$ 其中 (beta) 为电流放大系数（典型值100–1000）。

二、关键特性参数

参数	符号	物理意义	典型范围
电流放大系数	(beta)	集电极电流与基极电流之比	100–1000
特征频率	(f_T)	电流增益降至1时的频率	1 MHz–100 GHz
击穿电压	(BV_{CEO})	基极开路时集-射极间耐压	20 V–1000 V
饱和压降	(V_{CE(sat)})	深度导通时集-射极间压降	0.1 V–0.3 V

三、典型应用场景

模拟电路
- 放大器（共射、共基、共集配置）
- 电流镜与差分对
数字电路
- 早期逻辑门（TTL电路）
- 高功率开关电路
高频系统
- 射频功率放大器（如蜂窝基站）

四、与场效应管（FET）对比

特性	BJT	FET
载流子类型	电子与空穴（双极）	单一载流子（单极）
控制方式	电流控制（(I_B)）	电压控制（(V_{GS})）
输入阻抗	低（kΩ级）	高（GΩ级）
开关速度	中等（受电荷存储限制）	高（无少数载流子积累）

权威参考文献

《半导体器件物理》
施敏（S. M. Sze）著，详述BJT载流子输运模型与频率特性。

IEEE标准定义
IEEE 255-1963规范BJT符号与测试方法（IEEE Xplore）。

制造工艺手册
《半导体制造技术》强调基区厚度控制对(beta)的影响。

注：实际应用中，BJT因驱动简单、跨导高等特点，仍广泛用于功率放大与高速开关领域，但高频场景正逐步被GaN HEMT等器件替代。

网络扩展解释

双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）是一种通过两种极性载流子（电子和空穴）导电的半导体器件，主要用于信号放大和开关控制。以下是其核心要点：

1.基本结构

三端结构：由三个掺杂半导体区域组成，分别为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
两种类型：
- NPN型：中间为P型基极，两侧为N型发射极和集电极。
- PNP型：中间为N型基极，两侧为P型发射极和集电极。
掺杂差异：发射极掺杂浓度最高，基极极薄且掺杂最低，集电极面积最大。

2.工作原理

载流子运动：
- 发射结正向偏置：发射极向基极注入多数载流子（NPN为电子，PNP为空穴）。
- 基极复合控制：基极极薄且掺杂低，仅有少量载流子复合，大部分扩散到集电结。
- 集电结反向偏置：收集扩散过来的载流子，形成集电极电流。
电流放大：基极电流（(I_B)）微小变化可控制集电极电流（(I_C)）的显著变化，放大系数为(beta = frac{I_C}{I_B})（典型值20-200）。

3.工作模式

放大模式：发射结正偏，集电结反偏，用于信号放大。
饱和模式：发射结和集电结均正偏，作为开关闭合。
截止模式：发射结和集电结均反偏，作为开关断开。

4.特点

电流控制：通过基极电流控制输出（与场效应管的电压控制不同）。
高频性能：适合高频应用，但功耗较高。
线性度好：放大区电流与电压近似线性关系。

5.典型应用

模拟电路：如音频放大器、振荡器。
开关电路：数字逻辑门、电源开关。
传感器驱动：如电机控制、LED驱动。

与场效应管（FET）对比

特性	BJT	FET
控制方式	电流控制（(I_B)）	电压控制（(V_{GS})）
输入阻抗	低（千欧级）	高（兆欧级）
功耗	较高	较低
响应速度	快（适合高频）	较慢

双极型晶体管以高增益和快速响应著称，但功耗较高；适用于需要精密放大或高速开关的场景，如音响系统、射频通信等。