雙極型晶體管英文解釋翻譯、雙極型晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bipolar transistor

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一種利用兩種載流子（電子與空穴）參與導電的三端半導體器件，通過基極電流控制集電極-發射極間電流，具有電流放大功能。其名稱“雙極”強調電子與空穴兩種極性載流子共同參與導電機制。

一、核心結構與工作原理

結構組成
BJT由三層半導體材料構成，形成兩個PN結：
- 發射區（Emitter）：重摻雜，提供多數載流子。
- 基區（Base）：極薄且輕摻雜，控制載流子傳輸。
- 集電區（Collector）：中度摻雜，收集載流子。
  根據摻雜類型分為NPN型與PNP型（見圖1）。
放大原理
當發射結正偏、集電結反偏時：
- 發射區向基區注入載流子（NPN為電子，PNP為空穴）。
- 基區薄層使多數載流子擴散至集電結，被強電場掃入集電區。
- 基極電流 (I_B) 微小變化可控制集電極電流 (I_C) 大幅變化，實現電流放大：
  $$ I_C = beta I_B $$ 其中 (beta) 為電流放大系數（典型值100–1000）。

二、關鍵特性參數

參數	符號	物理意義	典型範圍
電流放大系數	(beta)	集電極電流與基極電流之比	100–1000
特征頻率	(f_T)	電流增益降至1時的頻率	1 MHz–100 GHz
擊穿電壓	(BV_{CEO})	基極開路時集-射極間耐壓	20 V–1000 V
飽和壓降	(V_{CE(sat)})	深度導通時集-射極間壓降	0.1 V–0.3 V

三、典型應用場景

模拟電路
- 放大器（共射、共基、共集配置）
- 電流鏡與差分對
數字電路
- 早期邏輯門（TTL電路）
- 高功率開關電路
高頻系統
- 射頻功率放大器（如蜂窩基站）

四、與場效應管（FET）對比

特性	BJT	FET
載流子類型	電子與空穴（雙極）	單一載流子（單極）
控制方式	電流控制（(I_B)）	電壓控制（(V_{GS})）
輸入阻抗	低（kΩ級）	高（GΩ級）
開關速度	中等（受電荷存儲限制）	高（無少數載流子積累）

權威參考文獻

《半導體器件物理》
施敏（S. M. Sze）著，詳述BJT載流子輸運模型與頻率特性。

IEEE标準定義
IEEE 255-1963規範BJT符號與測試方法（IEEE Xplore）。

制造工藝手冊
《半導體制造技術》強調基區厚度控制對(beta)的影響。

注：實際應用中，BJT因驅動簡單、跨導高等特點，仍廣泛用于功率放大與高速開關領域，但高頻場景正逐步被GaN HEMT等器件替代。

網絡擴展解釋

雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT）是一種通過兩種極性載流子（電子和空穴）導電的半導體器件，主要用于信號放大和開關控制。以下是其核心要點：

1.基本結構

三端結構：由三個摻雜半導體區域組成，分别為發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。
兩種類型：
- NPN型：中間為P型基極，兩側為N型發射極和集電極。
- PNP型：中間為N型基極，兩側為P型發射極和集電極。
摻雜差異：發射極摻雜濃度最高，基極極薄且摻雜最低，集電極面積最大。

2.工作原理

載流子運動：
- 發射結正向偏置：發射極向基極注入多數載流子（NPN為電子，PNP為空穴）。
- 基極複合控制：基極極薄且摻雜低，僅有少量載流子複合，大部分擴散到集電結。
- 集電結反向偏置：收集擴散過來的載流子，形成集電極電流。
電流放大：基極電流（(I_B)）微小變化可控制集電極電流（(I_C)）的顯著變化，放大系數為(beta = frac{I_C}{I_B})（典型值20-200）。

3.工作模式

放大模式：發射結正偏，集電結反偏，用于信號放大。
飽和模式：發射結和集電結均正偏，作為開關閉合。
截止模式：發射結和集電結均反偏，作為開關斷開。

4.特點

電流控制：通過基極電流控制輸出（與場效應管的電壓控制不同）。
高頻性能：適合高頻應用，但功耗較高。
線性度好：放大區電流與電壓近似線性關系。

5.典型應用

模拟電路：如音頻放大器、振蕩器。
開關電路：數字邏輯門、電源開關。
傳感器驅動：如電機控制、LED驅動。

與場效應管（FET）對比

特性	BJT	FET
控制方式	電流控制（(I_B)）	電壓控制（(V_{GS})）
輸入阻抗	低（千歐級）	高（兆歐級）
功耗	較高	較低
響應速度	快（適合高頻）	較慢

雙極型晶體管以高增益和快速響應著稱，但功耗較高；適用于需要精密放大或高速開關的場景，如音響系統、射頻通信等。