
【计】 fail memory
invalidation; lapse
【计】 out-of-order
【化】 abatement; fail(ure); out of service; out-of-run
【医】 inactivation
【经】 cease to have effect; lapse
storage; store
【计】 M; memorizer; S
失效存储器(Failed Memory)指在电子系统中因物理损坏、电路老化或程序错误导致数据存储功能丧失的硬件组件。该术语常应用于计算机工程和半导体技术领域,其核心特征包括数据不可逆丢失、读写操作异常及纠错机制失效。
根据《IEEE固态电路期刊》定义,失效存储器的判定标准包含三个层级:1)基础电路层面出现断路/短路;2)存储单元电荷保持能力低于行业阈值(通常小于$10^{-15}$错误率);3)ECC(错误校正码)系统无法修复数据偏差。这种故障可能发生在DRAM、SRAM或NAND闪存等各类存储介质中。
在工业实践中,失效存储器的检测技术包括:
值得注意的是,美国国家标准技术研究院(NIST)特别强调失效存储器的数据安全风险,其SP 800-88标准要求对这类器件实施物理销毁,防止残留数据被恶意恢复。
“失效存储器”并不是一个标准术语,可能与“存储器失效”或“故障存储器”相关。结合“存储器”的基础定义和相关语境,可作以下推测性解释:
存储器是计算机中用于存储数据、指令的器件,分为内存储器(如内存)和外存储器(如硬盘、U盘)。其核心功能是确保数据的读写与保存。
若需进一步了解“失效存储器”的具体定义或应用场景,建议补充上下文信息(如领域、设备类型等),以便提供更精准的解释。
以上解释综合了存储器的标准定义,并结合技术常识推断“失效”可能的含义。如需专业资料,可参考计算机硬件或可靠性工程领域文献。
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