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光電功函數英文解釋翻譯、光電功函數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 photoelectric work function

分詞翻譯:

光電的英語翻譯:

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

功函數的英語翻譯:

【電】 work function

專業解析

光電功函數(Photoelectric Work Function)是固體物理與光電子發射領域的關鍵概念,指材料表面電子克服束縛并逃逸到真空所需的最小能量。以下從漢英詞典角度結合物理機制進行解釋:

一、核心定義

二、物理機制與影響因素

  1. 材料依賴性

    不同金屬/半導體因原子結構差異導緻功函數值不同(如鎢:4.5 eV,鈉:2.3 eV)。表面晶面取向、雜質吸附會顯著改變功函數值。

  2. 光電效應中的角色

    愛因斯坦光電方程揭示了光子能量 (h u) 與功函數 (Phi) 的關系:

    $$K{text{max}} = h u - Phi$$

    其中 (K{text{max}}) 為光電子最大動能,說明光子能量必須大于 (Phi) 才能産生光電子發射。

三、應用場景

四、權威文獻參考

  1. Ashcroft, N. W., & Mermin, N. D. (1976). Solid State Physics. Saunders College. (功函數理論基礎)
  2. Einstein, A. (1905). "On a Heuristic Viewpoint Concerning the Production and Transformation of Light". Annalen der Physik. (光電方程原始文獻)
  3. Sze, S. M. (1981). Physics of Semiconductor Devices. Wiley. (器件應用章節)
  4. Hüfner, S. (2003). Photoelectron Spectroscopy. Springer. (表面分析技術詳解)

中英關鍵術語對照表

中文 英文
光電功函數 Photoelectric Work Function
費米能級 Fermi Level
真空能級 Vacuum Level
光電子發射 Photoelectron Emission
紫外光電子能譜 UPS (Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)

網絡擴展解釋

光電功函數是描述材料表面電子逸出所需能量的重要參數,具體解釋如下:

定義

光電功函數指電子通過吸收光子能量,從材料表面逸出所需的最小能量。其定義為:真空中靜止電子能量與材料費米能級之間的差值,數學表達式為: $$ W = E_{text{vacuum}} - EF $$ 其中$E{text{vacuum}}$為真空能級,$E_F$為費米能級。

核心特性

  1. 能量來源
    與熱功函數(通過熱能激發電子)不同,光電功函數特指通過光子能量激發電子的過程。

  2. 物理意義
    反映材料表面對電子的束縛能力,數值越小說明電子越容易逸出。金屬的功函數通常約為其自由原子電離能的二分之一。

  3. 應用場景

    • 光電效應:光子能量需達到功函數阈值才能激發出電子,這是愛因斯坦解釋光電效應的理論基礎。
    • 半導體器件:影響金屬-半導體接觸界面的勢壘高度,決定器件是形成歐姆接觸還是肖特基結。

測試方法

常用紫外光電子能譜(UPS)和開爾文探針法進行測量,直接關聯光電發射特性。

可通過百度文庫和道客巴巴查看更詳細的定義推導及實驗測量原理。

分類

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