光電導性英文解釋翻譯、光電導性的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 photoconductivity

photoconduction

光電導性（Photoconductivity）指某些材料在受到光照時電導率顯著增加的現象。當光子的能量大于材料的禁帶寬度時，會激發價帶中的電子躍遷至導帶，産生自由電子和空穴，從而增強材料的導電能力。這一效應廣泛應用于光敏電阻、光電探測器、成像傳感器等領域。

光生載流子
半導體材料吸收光子後，電子從價帶躍遷至導帶（本征激發），形成電子-空穴對。非本征激發則通過雜質能級産生載流子。載流子濃度隨光照強度增加而升高，導緻電導率上升，其關系可表示為：

$$ Deltasigma = e (mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$

其中 (Deltasigma) 為電導率變化量，(mu_n)、(mu_p) 分别為電子和空穴遷移率，(Delta n)、(Delta p) 為載流子濃度變化量。
響應速度與靈敏度
光電導響應時間受載流子壽命限制，通常在微秒至毫秒量級。硫化物（如CdS）等材料因高增益特性適用于弱光檢測，而矽、鍺等響應更快但增益較低。
光譜響應範圍
材料的光電導性與其禁帶寬度（(E_g)）直接相關。例如，CdS的 (E_g approx 2.4 text{eV})（對應綠光），InSb的 (E_g approx 0.17 text{eV})（對應紅外光），需根據應用需求選擇材料。

引用來源：
光電導性機制部分參考了固體物理學教材《Solid State Physics》（鍊接未提供）及期刊 Journal of Applied Physics 關于載流子動力學的綜述（鍊接未提供）。應用案例依據IEEE電子器件協會的技術報告（鍊接未提供）。

光電導性是指材料在光照條件下電導率發生改變的現象。這一特性主要存在于半導體材料中，其本質是光激發導緻載流子濃度增加，從而降低材料電阻。以下是詳細解釋：

物理機制
當入射光子的能量（$E = h u$）大于或等于材料的禁帶寬度（$E_g$）時，價帶電子被激發到導帶，形成自由電子和空穴對，稱為本征光電導。若光子能量僅能激發雜質能級中的載流子（如施主或受主能級），則産生雜質光電導，其響應波長更長但效率較低。
關鍵參數
- 長波限：光電導效應的最大響應波長由公式
  $$ lambda_c = frac{hc}{E_g} $$
  決定，其中$h$為普朗克常數，$c$為光速，$E_g$為禁帶寬度。
- 電導率變化與載流子濃度和遷移率乘積成正比，即$sigma = e(nmu_n + pmu_p)$，其中$n$和$p$分别為電子和空穴濃度，$mu$為遷移率。
應用與限制
光電導效應是光敏電阻、光電探測器等器件的核心原理。但需注意，并非所有材料均具備顯著光電導性，通常需選擇禁帶寬度與入射光能量匹配的半導體（如硒、硫化镉等）。

通過結合本征與雜質光電導特性，可設計出適應不同光譜範圍的光電器件，例如紅外傳感器或可見光探測器。