光电导性英文解释翻译、光电导性的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 photoconductivity

photoconduction

光电导性（Photoconductivity）指某些材料在受到光照时电导率显著增加的现象。当光子的能量大于材料的禁带宽度时，会激发价带中的电子跃迁至导带，产生自由电子和空穴，从而增强材料的导电能力。这一效应广泛应用于光敏电阻、光电探测器、成像传感器等领域。

光生载流子
半导体材料吸收光子后，电子从价带跃迁至导带（本征激发），形成电子-空穴对。非本征激发则通过杂质能级产生载流子。载流子浓度随光照强度增加而升高，导致电导率上升，其关系可表示为：

$$ Deltasigma = e (mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$

其中 (Deltasigma) 为电导率变化量，(mu_n)、(mu_p) 分别为电子和空穴迁移率，(Delta n)、(Delta p) 为载流子浓度变化量。
响应速度与灵敏度
光电导响应时间受载流子寿命限制，通常在微秒至毫秒量级。硫化物（如CdS）等材料因高增益特性适用于弱光检测，而硅、锗等响应更快但增益较低。
光谱响应范围
材料的光电导性与其禁带宽度（(E_g)）直接相关。例如，CdS的 (E_g approx 2.4 text{eV})（对应绿光），InSb的 (E_g approx 0.17 text{eV})（对应红外光），需根据应用需求选择材料。

引用来源：
光电导性机制部分参考了固体物理学教材《Solid State Physics》（链接未提供）及期刊 Journal of Applied Physics 关于载流子动力学的综述（链接未提供）。应用案例依据IEEE电子器件协会的技术报告（链接未提供）。

光电导性是指材料在光照条件下电导率发生改变的现象。这一特性主要存在于半导体材料中，其本质是光激发导致载流子浓度增加，从而降低材料电阻。以下是详细解释：

物理机制
当入射光子的能量（$E = h u$）大于或等于材料的禁带宽度（$E_g$）时，价带电子被激发到导带，形成自由电子和空穴对，称为本征光电导。若光子能量仅能激发杂质能级中的载流子（如施主或受主能级），则产生杂质光电导，其响应波长更长但效率较低。
关键参数
- 长波限：光电导效应的最大响应波长由公式
  $$ lambda_c = frac{hc}{E_g} $$
  决定，其中$h$为普朗克常数，$c$为光速，$E_g$为禁带宽度。
- 电导率变化与载流子浓度和迁移率乘积成正比，即$sigma = e(nmu_n + pmu_p)$，其中$n$和$p$分别为电子和空穴浓度，$mu$为迁移率。
应用与限制
光电导效应是光敏电阻、光电探测器等器件的核心原理。但需注意，并非所有材料均具备显著光电导性，通常需选择禁带宽度与入射光能量匹配的半导体（如硒、硫化镉等）。

通过结合本征与杂质光电导特性，可设计出适应不同光谱范围的光电器件，例如红外传感器或可见光探测器。