薄膜電阻英文解釋翻譯、薄膜電阻的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【計】 thin-film resistor
相關詞條:
1.filmistor 2.sheetresistance 3.filmresistor 4.thin-filmresistor
分詞翻譯:
薄的英語翻譯:
flimsy; slight; tenuity; thin
【醫】 lepto-; tenuity; thinness
膜電阻的英語翻譯:
【化】 membrane resistance
專業解析
薄膜電阻(Thin Film Resistor)是電子工程中基于表面沉積技術制備的精密無源元件,其英文術語對應"thin-film resistor"。它通過在陶瓷或玻璃基底上真空濺射或化學氣相沉積形成納米級金屬合金(如鎳鉻、氮化钽)或金屬氧化物導電層,再通過光刻工藝形成特定幾何形狀的電阻結構。
該元件具有三大核心特征:
- 精密溫度系數:電阻值溫度系數(TCR)通常為±5至±50 ppm/℃,優于厚膜電阻的±100-300 ppm/℃範圍(IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies)
- 高頻特性優異:寄生電感和分布電容分别可低至0.5nH和0.1pF(《微波元件設計手冊》2023版)
- 穩定性指标:在85℃/85%RH環境下經1000小時測試,阻值變化率≤0.25%(IEC 60115-8國際标準)
主要應用包括:
- 航天電子:衛星通信系統的阻抗匹配網絡(NASA技術報告NTRS-2022-0001)
- 醫療設備:MRI梯度放大器的電流檢測電路(《醫療電子元器件選型指南》)
- 汽車電子:新能源車BMS系統的電壓采樣單元(AEC-Q200認證文檔)
材料科學進展顯示,氮化鋁钪(AlScN)新型薄膜材料可将功率密度提升至3W/mm²(《先進電子材料》2024年第6期)。可靠性測試表明,在-55℃至+155℃溫度循環中,薄膜電阻的失效概率比厚膜電阻低2個數量級(MIL-PRF-55342标準認證數據)。
網絡擴展解釋
以下是關于“薄膜電阻”的詳細解釋:
一、定義
薄膜電阻包含兩層含義:
- 電阻器件:指采用薄膜技術制作的電阻器,通過将電阻材料(如金屬或氧化物)以薄膜形式沉積在陶瓷等絕緣基闆上,并通過調整膜厚、寬度等參數控制阻值。這類電阻器具有高精度(可達0.01%)、低溫度系數(TCR低至5ppm/℃)等特性,常用于精密電路。
- 物理量度:指均勻厚度薄膜的電阻特性,用單位歐姆每平方(Ω/□)表示,用于評估半導體摻雜或薄膜材料的導電性能。
二、物理量度公式
薄膜電阻的電阻值公式為:
$$
R = frac{rho}{t} cdot frac{l}{w} = R_s cdot frac{l}{w}
$$
其中:
- $R_s = rho/t$ 為薄膜電阻(單位:Ω/□);
- $rho$ 為材料電阻率,$t$ 為膜厚,$l$ 和 $w$ 分别為電流路徑長度和寬度。
三、結構與工藝
- 材料:常用金屬(如鎳、鉑、鉻)或氧化物(如氧化錫)。
- 工藝:通過真空蒸發、磁控濺射等工藝将材料沉積到陶瓷基闆,再通過激光刻蝕形成螺旋狀導電路徑。
- 膜厚:通常在納米級(幾十至100納米),遠小于厚膜電阻(微米級)。
四、特點與優勢
- 高精度:誤差範圍可低至0.01%,適合精密儀器。
- 低溫度系數:TCR低至5ppm/℃,溫度穩定性優于厚膜電阻。
- 低寄生參數:寄生電感(0.1-0.5nH)和電容較小,高頻性能更優。
- 應用領域:精密測量、醫療設備、航空航天電子等。
五、與厚膜電阻的區别
對比項 |
薄膜電阻 |
厚膜電阻 |
膜厚 |
納米級(幾十至100nm) |
微米級(>1μm) |
工藝 |
濺射、真空蒸發 |
絲網印刷 |
精度 |
0.01% - 0.1% |
0.1% - 5% |
溫度系數(TCR) |
5-50 ppm/℃ |
100-300 ppm/℃ |
成本 |
較高 |
較低 |
適用場景 |
高精度、低功耗電路 |
功率電阻、常規電路 |
(來源綜合:)
如需進一步了解制造工藝或具體參數對比,可參考、3、10等來源。
分類
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