飽和電壓英文解釋翻譯、飽和電壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 saturation voltage

saturation
【化】 equilibration; saturation
【醫】 saturation

tension; voltage
【化】 voltage
【醫】 electric tension; voltage

飽和電壓（Saturation Voltage）是電子工程領域的重要概念，指半導體器件（如晶體管或二極管）在特定工作狀态下達到電流飽和時的端電壓值。其英文對應詞為"Saturation Voltage"，常見于電路設計與器件特性分析。

在雙極型晶體管（BJT）中，飽和電壓指集電極-發射極間電壓（V_CE）達到最小值時的狀态，此時集電極電流不再隨基極電流增加而顯著變化。該特性由美國電氣電子工程師協會（IEEE）定義為晶體管完全導通的工作區域特征。

對MOSFET器件而言，飽和電壓對應漏源電壓（V_DS）超過夾斷電壓時的狀态，此時漏極電流主要受栅源電壓控制。麻省理工學院電子工程教材指出，該參數直接影響功率器件的導通損耗計算。

工業測試中通常采用曲線追蹤儀測量飽和電壓，國際電子器件會議（IEDM）技術報告顯示，現代器件的典型飽和電壓範圍為0.1V至3V，具體數值與半導體材料及結構設計密切相關。該參數在開關電源、功率放大器等電路設計中具有決定性作用，直接影響系統能效與熱管理方案制定。

飽和電壓是電子元件在特定條件下達到電流最大值後，電壓不再顯著影響電流的臨界值。以下是具體解析：

核心概念
當電子元件（如二極管、晶體管）兩端電壓達到飽和電壓時，電流不再隨電壓升高而顯著增加，進入“飽和狀态”。以矽二極管為例，其正向飽和電壓約為0.7V，此時電流增大但兩端電壓差趨于穩定。
晶體管中的表現
在BJT（雙極型晶體管）或MOSFET（場效應管）中，飽和電壓指基極-發射極（BJT）或栅極-源極（MOSFET）的臨界電壓值。超過此值後，集電極電流不再受基極電流控制。

飽和電壓是電子元件從線性工作區轉向飽和區的臨界參數，直接影響器件的開關特性、功耗和電路穩定性。