反電特性英文解釋翻譯、反電特性的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 inverse electrical characteristics

分詞翻譯：

反的英語翻譯：

in reverse; on the contrary; turn over
【醫】 contra-; re-; trans-

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

特的英語翻譯：

especially; special; spy; unusual; very
【化】 tex

專業解析

在電子工程領域，"反電特性"對應的标準英文術語為Reverse Electrical Characteristics，特指電子元器件（尤其是半導體器件）在反向偏置電壓或電流作用下的電氣性能參數集合。以下是關鍵參數的詳細解釋及權威來源參考：

一、核心參數定義

反向擊穿電壓 (Reverse Breakdown Voltage, V_BR)
器件在反向偏置下發生雪崩擊穿或齊納擊穿的臨界電壓值。例如，二極管數據手冊中标注的 V_BR 通常指反向電流達到特定阈值（如 1mA）時的電壓。該參數直接決定器件的耐壓能力與可靠性。
反向漏電流 (Reverse Leakage Current, I_R)
反向偏置時流經器件的微小電流，主要由少數載流子擴散産生。矽二極管在室溫下的 I_R 通常為 nA 級，而肖特基二極管可能達 μA 級。高溫環境下 I_R 呈指數增長，影響系統功耗。

二、動态特性

反向恢複時間 (Reverse Recovery Time, t_rr)

開關器件（如整流二極管）從正向導通切換到反向截止時，需要消散存儲電荷的時間。t_rr 直接影響高頻電路效率，快恢複二極管（FRD）的 t_rr 可低至 50ns 以下。該參數需通過标準測試電路（如 IEC 60747-1）測量。

權威文獻參考：

《半導體器件物理與工藝》（施敏, 伍國珏著）第 6 章詳細推導了 PN 結反向特性方程，涵蓋耗盡區寬度與擊穿機制。
IEEE 标準 JESD282B.01 規範了二極管反向特性測試方法，定義環境溫度與熱阻對參數的影響。
安森美半導體技術文檔（如 AND9136: Diode Characteristics）提供實測數據曲線與溫度相關性分析。

三、應用場景關聯

在電源設計中，反電特性決定：

整流電路效率：高 V_BR 防止過壓損壞，低 I_R 減少待機損耗
開關電源EMI：過長的 t_rr 導緻電壓尖峰，需通過 RC 緩沖電路抑制

術語注釋：中文"反電特性"為行業非正式簡稱，國際标準文獻中統一使用Reverse Electrical Characteristics。設計選型時應以器件數據手冊（Datasheet）的實測圖表為準，重點關注溫度系數與長期穩定性參數。

網絡擴展解釋

“反電特性”直接相關的信息，可能存在以下兩種情況：

情況一：用戶可能指的是“反向電特性”

在電子元件（如二極管、晶體管）中，反向電特性通常指器件在反向電壓下的電氣表現。例如：

反向擊穿電壓：當反向電壓超過阈值時，器件可能突然導通（如齊納二極管）或損壞。
反向漏電流：在截止狀态下仍存在的微小電流，影響器件功耗和穩定性。
反向恢複時間：二極管從導通到截止所需的過渡時間，對高頻電路設計至關重要。

情況二：用戶可能混淆了“反電動勢”

反電動勢（Back EMF）是電磁學概念，指電流變化時線圈産生的阻礙電流變化的電壓，常見于電機和電感中：

原理：符合楞次定律，方向與電源電動勢相反（$E = -L frac{di}{dt}$）。
應用：電機運行時産生反電動勢，可限制電流并轉化為機械能；電路設計中需考慮其引起的電壓沖擊。

建議

若以上内容不符合您的需求，可能是術語拼寫偏差或屬于特定領域冷門概念。建議：

确認術語準确性（如是否為“反向特性”或“反電動勢”）。
補充背景信息（如所屬學科、應用場景）。
檢查是否有其他表述方式（如英文對應詞）。

我将根據進一步說明提供更精準的解釋。