逆向崩潰電壓英文解釋翻譯、逆向崩潰電壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 reverse-breakdown voltage

converse
【計】 negative direction

【電】 avalenche voltage; breakdown voltage; electrie breakdown voltage
voltage breakdown

逆向崩潰電壓（Reverse Breakdown Voltage）是半導體器件領域的重要參數，指器件在反向偏置狀态下發生雪崩擊穿或齊納擊穿時的臨界電壓值。根據IEEE标準定義，當反向電壓超過該阈值時，器件将失去阻斷能力并允許大電流通過，可能造成永久性損壞。

該參數在工程應用中具有兩方面核心價值：

安全設計基準：電力電子系統設計中需确保反向工作電壓低于崩潰值，如整流電路中的二極管選型需參考此參數（參考：Semiconductor Devices: Theory and Application, 第5章）；
器件特性标識：制造商在數據手冊中标注該參數作為器件耐壓能力的重要指标，例如典型矽二極管的逆向崩潰電壓範圍在50V-1000V之間。

實際應用中需注意溫度系數影響，每升高1℃會導緻崩潰電壓值變化約0.1%（參考：IEEE Xplore電子器件熱效應研究報告）。在齊納二極管等特殊器件中，工程師會刻意利用該特性實現電壓基準或過壓保護功能。

逆向崩潰電壓（Reverse Breakdown Voltage）是電子元件（如二極管、TVS管等）在反向偏壓下發生電擊穿的最低電壓值。以下是詳細解釋：

當元件承受反向電壓時，若電壓超過某一臨界值，電流會急劇增加，導緻絕緣性能失效，這一臨界電壓即為逆向崩潰電壓。它是衡量器件耐壓能力的重要參數，常用符號VBR表示。

逆向崩潰電壓的産生機制主要有兩種：

逆向崩潰電壓是器件反向耐壓的極限值，其機制和應用因材料和結構而異。實際設計中需結合雪崩/隧穿特性選擇元件，并确保工作電壓低于VBR以保證可靠性。